功率器件-元器件,电路图讲解,元器件选型与采购,最专业的电子元件门户网站

为你找到相关结果294个

功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-12-06
功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-11-25
【“源”察秋毫系列】多次循环双脉冲测试应用助力功率器件研究及性能评估

随着电力电子技术的飞速发展，功率器件在电动汽车、可再生能源、智能电网等领域的应用日益广泛。这些应用对功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特别是在电动汽车领域，功率器件需要在高电压、高电流和高温环境下稳定工作，这对器件的耐久性和可靠性是一个巨大的挑战。同时，随着SiC等宽禁带半导体材料的兴起，功率器件的性能得到了显著提升，但同时也带来了新的测试需求。如何在保证测试效率的同时，准确评估这些先进功率器件的性能和寿命，成为了行业发展的关键。

2024-11-23
功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-11-23
功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-11-12
功率器件热设计基础（一）——功率半导体的热阻

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-11-11
如何使用GaNFET设计四开关降压－升压DC－DC转换器？

在不断追求减小电路板尺寸和提高效率的征途中，氮化镓场效应晶体管(GaNFET)功率器件已成为破解目前难题的理想选择。GaN是一项新兴技术，有望进一步提高功率、开关速度以及降低开关损耗。这些优势让功率密度更高的解决方案成为可能。

2024-11-04
第8讲：SiC外延生长技术

SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一，外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积（CVD），本文简要介绍其生产过程及注意事项。

2024-11-04
远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件

氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而，由于工作电压和长期可靠性的制约，这些器件的潜力并未得到充分发挥，主要在消费电子领域内竞争价格。近期，随着高压氮化镓器件的陆续推出，我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。

2024-11-01
【泰克先进半导体实验室】远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件

氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而，由于工作电压和长期可靠性的制约，这些器件的潜力并未得到充分发挥，主要在消费电子领域内竞争价格。近期，随着高压氮化镓器件的陆续推出，我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。

2024-10-20
IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱

近几年新能源车发展迅猛，技术创新突飞猛进。如何设计更高效的牵引逆变器使整车获得更长的续航里程一直是研发技术人员探讨的最重要话题之一。高效的牵引逆变器需要在功率、效率和材料利用率之间取得适当的平衡。

2024-09-25
第4讲：SiC的物理特性

SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异，4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备方面具有优势。此外，由于GaN是直接跃迁型半导体，少数载流子寿命较短，因此通过电导调制效应来实现低导通电阻器件的效果并不理想。

2024-09-11

首页上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

关闭

关闭