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一文看懂IGBT相关知识
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。本文将为大家详细介绍IGBT相关知识。
2019-08-12
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MOS管简介以及判定电极、放大能力的方法
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，属于绝缘栅型。
2019-08-05
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模拟放大电路的原理分析
放大电路是一种能量转换器，它不可能创造能量。晶体三极管是用基极电流的微小变化控制集电极电流发生较大的变化，电子管与场效应管是用栅极电压的微小变化控制屏极电流发生较大的变化，因此，场效应管与电子管是电压控制器件，而晶体管是电流控制器件。
2019-08-01
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定性判断场效应管、三极管的好坏
先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的 。
2019-07-22
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恒流二极管特性及应用
恒流二极管是庞大的半导体二极管家族中的一员，它利用多数载流子的场效应原理制造而成，属于两端结型场效应管，工作原理类似于结型场效应管。换句话讲，其技术原理是利用半导体结构的沟道夹断方式控制并输出恒定电流的。
2019-07-09
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使用场效应管的注意事项
场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（和金属-氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
2019-07-03
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场效应管发热的解决
就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
2019-07-03
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详解三极管和场效应管测量方式
将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。
2019-06-24
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分析MOS管如何控制电流方向的方法
场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2019-06-11
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对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案
电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流（BLDC）解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三个半桥或至少六个场效应管（FET），因此从有刷电流转向无刷电流意味着全球电动工具FET总区域市场增长了3到6倍（见图1）。
2019-05-20
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详解变频器IGBT模块的静态测量
IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2019-05-16
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判别场效应管好坏的方法
如何判别场效应管的好坏呢？以下分别从6个方面介绍mos管的判别方法：用测电阻法判别结型场效应管的电极，用测电阻法判别场效应管的好坏，用感应信号输人法估测场效应管的放大能力等。
2019-04-25
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