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能实现调频调幅输出的串联谐振式电源
本文介绍了用正弦脉宽调制（SPWM）技术实现调频调幅输出的串联谐振式电源的工作原理。该电源采用了IGBT模块构成的半桥逆变电路，它具有IGBT驱动、过压、过流、过热保护及故障锁定功能。
2012-12-13
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大功率开关电源IGBT短路保护的三种设计方法
开关电源同其它电子装置一样，短路是最严重的故障，短路保护是否可靠，是影响开关电源可靠性的重要因素。而大功率的开关电源大多都是用的IGBT这种电力电子开关元器件，要防止整个开关电源的的短路，那就要在IGBT短路保护安全的情况下保证开关电源的正常运作。
2012-12-02
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1200V IGBT技术平台，提供适合工业应用的基准效率
IR 推出第八代 1200V IGBT技术平台，新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，提供适合工业应用的基准效率和耐用性。
2012-11-20
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安森美推出系列的高性能工业应用IC新产品
安森美半导体扩充高性能工业IC的广泛产品阵容，先进全新的VLDO、GFI控制器、KNX收发器及IGBT方案彰显公司的产品阵容实力和深度。高能效创新的安森美半导体持续推动高性能工业集成电路(IC)方案的电源管理。最新器件提供高度强固性，应用于宽工作温度范围，性能突出，同时以极低能耗工作。
2012-11-16
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利用DC/DC电源并联技术设计大功率直流电源
随着电力电子技术的发展，很多场合需要大功率大电流的直流电源。本文基于IGBT器件，利用DC/DC电源并联技术设计大功率直流电源。该电源可用作EAST托卡马克装置中的大功率垂直位移快速控制直流电源。对该电源装置进行了仿真和实验，获得了较为满意的动静态性能。
2012-11-12
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9款高能效沟槽型场截止IGBT
安森美扩充高性能沟槽型场截止IGBT阵容，推出9款新的高能效方案。这些新器件提升系统总体开关能效，降低功率耗散，且提升系统可靠性，能为工程师在应用其电源系统设计时提供更丰富的选择。
2012-11-11
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安森美半导体新增九种高性能沟槽型场截止IGBT
安森美半导体扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系统总体开关能效，降低功率耗散，且提升系统可靠性，这些产品中包含专门针对太阳能及不间断电源(UPS)应用高性能电源转换的器件。
2012-10-25
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英飞凌扩展第三代逆导IGBT产品组合
英飞凌科技股份有限公司扩展其第三代逆导 （RC） 软切换绝缘闸双极性电晶体 （IGBT） 产品系列，推出 30A和40A电流的1200V 和1350V型产品，以因应市场对高可靠性的持续需求。
2012-10-25
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用IGBT实现高压大功率变频器
目前，高压大功率变频器是一个十分重要的应用领域。而基于IGBT的变频器其功率等级最大多在5000kw左右，功率在10000kw及以上的高压变频器用IGBT就难以实现。目前，ABB等国际大公司均推出了基于IGBT的三电平变频器。但在高压大功率应用条件下，三电平技术的可靠性在国内还有待于提高。此外，高压大功率变频器的性能试验也是一个难题。
2012-10-25
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具有2.5A输出电流的智能IGBT光电耦合驱动器
飞兆半导体开发了一款先进的具有2.5A输出电流能力的智能IGBT光电耦合驱动器产品，此器件具有一个集成式的栅极驱动光电耦合器，其备有低RDS(ON) CMOS晶体管，能助力实现IGBT的轨至轨驱动，适用于驱动功率IGBT和MOSFET的快速开关。
2012-10-22
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设计EPS应急电源必须考虑的要素
EPS应急电源可以说是近两年才迅猛发展起来的一个新兴产业，相比于发展成熟的UPS而言，有相同之处，也有不同之处。其相同点在于都具备在市电故障(中断)情况下继续向负载提供交流电源的功能，均采用了IGBT逆变技术和脉宽调制(PWM)技术。
2012-10-22
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针对家电电机驱动应用的600V超高速沟道IGBT
IR公司新推出600V超高速沟道IGBT，该器件可大幅降低开关与导通损耗，在更高频率下可提升功率密度和效率。并具有6A额定电流及不小于 5μs的最低短路额定值，适用于广泛的开关频率，最高达20kHz。
2012-10-19
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