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晶闸管和IGBT功率开关器件的保护作用对比
由于晶闸管自身特性参数的原因，其极限工作频率一般限制在8KC以下，对于更高频率的使用要求，目前国内已经出现采用IGBT作为功率开关元件的超音频电源。目前的使用情况看，采用IGBT作为开关元件的静止变频电源的故障率明显较低，元器件损坏的较少，维修费用也较低，是静止变频技术新的发展方向。
2013-01-08
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变频器
变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。我们现在使用的变频器主要采用交—直—交方式（VVVF变频或矢量控制变频），先把工频交流电源通过整流器转换成直流电源，然后再把直流电源转换成频率、电压均可控制的交流电源以供给电动机。变频器的电路一般由整流、中间直流环节、逆变和控制4个部分组成。整流部分为三相桥式不可控整流器，逆变部分为IGBT三相桥式逆变器，且输出为PWM波形，中间直流环节为滤波、直流储能和缓冲无功功率。
2013-01-07
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IGBT产品市场现状分析
虽然长期来看，IGBT的增长前景很乐观，是一个值得期待的市场，可是到目前为止IGBT的核心技术和产业为大多数欧美IDM半导体厂商所掌控，本土厂商想要打破国外企业对国内IGBT市场垄断，还需要很多努力。
2013-01-06
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从过流、过压、过热三方面讲述IGBT保护电路如何设计
本文从过流保护、过压保护与过热保护三个方面，论述了IGBT的相关问题，并从实际应用中总结出各种保护方法，这些方法实用性强，保护效果好，是IGBT保护电路设计必备知识。
2013-01-05
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能实现调频调幅输出的串联谐振式电源
本文介绍了用正弦脉宽调制（SPWM）技术实现调频调幅输出的串联谐振式电源的工作原理。该电源采用了IGBT模块构成的半桥逆变电路，它具有IGBT驱动、过压、过流、过热保护及故障锁定功能。
2012-12-13
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大功率开关电源IGBT短路保护的三种设计方法
开关电源同其它电子装置一样，短路是最严重的故障，短路保护是否可靠，是影响开关电源可靠性的重要因素。而大功率的开关电源大多都是用的IGBT这种电力电子开关元器件，要防止整个开关电源的的短路，那就要在IGBT短路保护安全的情况下保证开关电源的正常运作。
2012-12-02
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1200V IGBT技术平台，提供适合工业应用的基准效率
IR 推出第八代 1200V IGBT技术平台，新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，提供适合工业应用的基准效率和耐用性。
2012-11-20
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安森美推出系列的高性能工业应用IC新产品
安森美半导体扩充高性能工业IC的广泛产品阵容，先进全新的VLDO、GFI控制器、KNX收发器及IGBT方案彰显公司的产品阵容实力和深度。高能效创新的安森美半导体持续推动高性能工业集成电路(IC)方案的电源管理。最新器件提供高度强固性，应用于宽工作温度范围，性能突出，同时以极低能耗工作。
2012-11-16
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利用DC/DC电源并联技术设计大功率直流电源
随着电力电子技术的发展，很多场合需要大功率大电流的直流电源。本文基于IGBT器件，利用DC/DC电源并联技术设计大功率直流电源。该电源可用作EAST托卡马克装置中的大功率垂直位移快速控制直流电源。对该电源装置进行了仿真和实验，获得了较为满意的动静态性能。
2012-11-12
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9款高能效沟槽型场截止IGBT
安森美扩充高性能沟槽型场截止IGBT阵容，推出9款新的高能效方案。这些新器件提升系统总体开关能效，降低功率耗散，且提升系统可靠性，能为工程师在应用其电源系统设计时提供更丰富的选择。
2012-11-11
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安森美半导体新增九种高性能沟槽型场截止IGBT
安森美半导体扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系统总体开关能效，降低功率耗散，且提升系统可靠性，这些产品中包含专门针对太阳能及不间断电源(UPS)应用高性能电源转换的器件。
2012-10-25
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英飞凌扩展第三代逆导IGBT产品组合
英飞凌科技股份有限公司扩展其第三代逆导 （RC） 软切换绝缘闸双极性电晶体 （IGBT） 产品系列，推出 30A和40A电流的1200V 和1350V型产品，以因应市场对高可靠性的持续需求。
2012-10-25
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