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DER-297：Power Integrations推出高效率、超紧凑LED驱动器
世界上效率最高、使用寿命最长的离线式LED驱动器IC的制造商Power Integrations公司近日发布了一款新的参考设计(DER-297)，是针对B10型LED灯泡设计的高效率、超紧凑驱动器。该电源基于Power Integrations的LinkSwitch-PL系列非隔离单级LED驱动器IC设计而成，特别适用于高压LED应用。
2011-12-01
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LED电源和驱动电路主要技术概况
作为一种新的光源，近年来各大公司和研究机构对LED电源和驱动电路的研究方兴未艾。与荧光灯的电子镇流器不同，LED驱动电路的主要功能是将交流电压转换为直流电压，并同时完成与LED的电压和电流的匹配。随着硅集成电路电源电压的直线下降，LED 工作电压越来越多地处于电源输出电压的最佳区间，大多数为低电压 IC 供电的技术也都适用于为LED，特别是大功率 LED供电。再则，LED电源还应能利用低电压IC电源产量逐渐上升带来的规模经济。
2011-11-30
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详解无闪烁LED驱动调光控制设计
本文将对LED照明应用中实现高功率因数性能的无任何闪烁的调光控制技术与构建等问题作研讨，并以应用多项控制器构建的LED驱动器与高集成MOSFET LED驱动器2种高功率因数无任何闪烁的调光控制为例作重点分析。
2011-11-30
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基于恒流二极管的小功率LED驱动电路设计
LED 是电流驱动器件，其亮度与正向电流成正比，为了保证LED 发光高效均匀、LED 驱动源应为恒电流输出。因此设计高效简单，价格低廉的LED 驱动源成为当前一个研究热点。本文设计一种基于恒流二极管的小功率LED 驱动电路，工频市电供电，输出电流恒定。
2011-11-30
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分析高效率LED驱动电路的特性及问题
高效率LED驱动电路的特性及问题分析。
2011-11-28
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LED恒流驱动器件MOSFET选择
常用的是NMOS.原因是导通电阻小,应用较为广泛,也符合LED驱动设计要求.所以开关电源和LED恒流驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主.
2011-11-25
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高能效与简化设计并举 安森美半导体发布两款LED驱动IC
LED驱动IC厂商正在朝不断提高功率密度、提高整体可靠性、更宽输入电源范围、满足空间受限、PFC和调光兼容的方向努力。近日，安森美半导体在第八届中国国际半导体照明展览会上发布两款能效获得提升，可进一步简化电路设计的LED驱动IC NCL30160与NCL30051。在新品发布会上，安森美半导体照明市场技术行销经理林志彦介绍了这两款IC的性能以及安森美半导体在LED照明领域的服务策略。
2011-11-24
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LinkSwitch-PH：PI推出超薄封装 LED驱动器IC用于荧光灯管替代
高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的世界领导者Power Integrations公司近日宣布已可供应采用eSIP™-7F（L封装）的LinkSwitch-PH LED驱动器IC，封装高度仅为2 mm。这种新封装针对荧光灯管的LED替换灯（只有超薄封装才能装入LED电路板后面非常狭小的空间内）以及电路板高度受限的其他应用而设计。
2011-11-22
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长寿命LED驱动电路专用电解电容器应用特性分析
相对于10万小时寿命和半永久寿命的半导体器件和无源元件来说，铝电解电容器是导致LED驱动电路寿命达不到要求的关键元件。从成本和寿命两方面综合考虑，如果能做出长寿命电解电容器，使得电解电容器的寿命与LED寿命基本相同，那么，电解电容器这块LED驱动中短板相关问题就可以得到很好的解决。
2011-11-17
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超越转换器的背光效率优化设计
长电池寿命是便携式电子产品市场的关键指标。LCD显示器的LED背光驱动器占了总有效系统功耗的25%至40%。在过去，设计师尽量减少背光显示器功耗的工具仅限于降低LED驱动电流，同时提高转换器的效率。今天，高达50%的电力节省是通过采用优化的转换器利用LED驱动器、环境光传感器，以及内容调整背光控制（CABC）方法来实现的。
2011-11-17
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适合LED驱动及调光的各种切换式电源拓扑比较
随着发光二极管(led)生产成本下降，使用也越来越普遍，应用范围由手持装置到汽车、建筑照明等领域。LED的可靠度高(使用寿命超过五万小时)，效率佳(每瓦超过120流明)，并具有近乎实时反应的特性，成为极具吸引力的光源。LED可在5奈秒的时间内产生光，而白热灯泡的反应时间则是200毫秒，因此汽车工业已将LED运用于煞车灯上。本文将针对LED特性以及驱动LED的折冲情形进行介绍，深入探讨适合LED驱动及调光的各种切换式电源拓扑，并详细说明相关优点。
2011-11-15
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LED驱动设计5大关键点
这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热吧。
2011-11-11
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