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WSLT2010…18:Vishay推出2010封装尺寸电流感测电阻
Vishay日前推出新型高温 1-W 表面贴装 Power Metal Strip 电阻，该产品是业界首款可在 –65°C 到 +275°C 温度范围内工作的 2010 封装尺寸电流感测电阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 电阻具有极低的电阻值范围（10-m 到 500-m）、较低的误差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-02-04
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为大功率和混合动力汽车优化的Vishay负载突降保护器件
现在汽车上的电子设备越来越多，所有连接在供电线路上的电子系统的保护器件不可能平均分担瞬态能量。瞬态能量对连接的那些最低阻抗的保护器件的影响尤为严重。因此，在汽车电子设计中，一个保护器件要能够安全地承受负载突降状态瞬变的全部能量。本文介绍了负载突降的概念和该如何去应对该种情况以及Vishay应对该问题的策略和相关电路保护器件。
2009-01-25
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TSOP75xxx ：Vishay最佳敏感度/尺寸比SMD红外接收器系列
日前，Vishay宣布推出用于遥控系统的新型超小型表面贴装（SMD）红外接收器系列 --- TSOP75xxx，从而拓宽了其光电子产品系列。TSOP75xxx 系列器件具有 0.15 mW/sqm 的典型辐照度、在 3.3 V 时 0.35 mA 的超低电流、侧视型的厚度仅为 3.0 mm及业界最佳敏感度/尺寸比。
2009-01-23
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Si8422DB ：Vishay采用MICRO FOOT封装的MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH） 宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT芯片级封装的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。
2009-01-21
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TSOP5038：Vishay传感器和光障系统应用红外接收器
日前，Vishay推出为传感器和光障系统应用优化的小型 SMD 接收器 --- TSOP5038，拓宽了其光电产品系列。
2009-01-19
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VSLB3940：Vishay新型高性能3mm红外发射器
日前，Vishay宣布推出 3mm (T1) 红外发射器 --- VSLB3940，拓展了其光电产品系列，且这些新器件的性能特征与领先的 5mm 发射器相当。
2009-01-16
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WSLT2010xxx18：Vishay宽广工作温度电流感测电阻
Vishay日前推出新型高温1-W 表面贴装 Power Metal Strip电阻，该产品是业界首款可在–65°C 到+275°C 温度范围内工作的2010 封装尺寸电流感测电阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 电阻具有极低的电阻值范围（10-mΩ 到 500-mΩ）、较低的误差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-01-15
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VSMB系列:威世发光波长940nm的红外LED
日前，Vishay推出 940nm 表面贴装红外（IR）发射器系列，从而拓展了其光电子产品系列，这些新推出的器件具有远高于标准发射器技术的辐射强度。
2009-01-14
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SiA850DJ ：Vishay集成190V功率二极管的MOSFET
日前，Vishay宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封装的 SiA850DJ 还是在 1.8V VGS 时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。
2009-01-09
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IHLP-2020BZ-11：Vishay超薄大电流电感器
近日，Vishay宣布推出新型IHLP 超薄大电流电感器 --- IHLP-2020BZ-11 。这款小型器件具有 2.0mm 超薄厚度、广泛的电感范围和较低的 DCR 。
2009-01-08
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表面贴装功率MOSFET封装的演进
硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离，为了实现更小的占板面积、更好的散热性能、更高的效率，表面贴装封装工艺在不断进步。Vishay Si l iconixPolarPAK具有在MOSFET封装上下表面进行冷却的封装能力。尺寸类似于标准SO-8封装，却有两个热路径，如果采用来自风扇的气流或附加的散热器，PolarPAK功率MOSFET就可以处理高得多的电流。
2009-01-05
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Si7633DP/135DP：Vishay最新低导通电阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
2008-12-24
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