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意法半导体与 Sphere Studios 联合打造全球最大的电影摄影机图像传感器
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)与Sphere娱乐有限公司（纽约证券交易所代码：SPHR）共同公布了为 Sphere的Big Sky摄影系统开发的世界上最大的影像传感器的最新细节。Big Sky 是一个突破性的超高分辨率专业摄影系统，用于为拉斯维加斯的下一代娱乐媒体Sphere公司拍摄影像。
2024-01-19
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高隔离DC/DC转换器提升电机运作的稳定性与安全性
在电机应用中，必须采用逆变器或转换器进行电源转换，采用高隔离DC/DC转换器，将有助于提升电机运作的稳定性与安全性，这对高功率、高速电机系统尤为重要。本文将为您介绍IGBT/MOSFET/SiC/GaN栅极驱动DC-DC转换器的相关技术，以及由Murata（村田制作所）所推出的一系列高隔离DC/DC转换器的功能特性。
2024-01-19
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对于采用双向自动检测IC TXB0104在电平转换端口传输中组态的分析
TXB0104是应用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC (嵌入式多媒体存储卡)芯片之间通信的双向自动检测电平转换芯片。当系统的软件资源配置不足，需要电平转换芯片自己识别信号传输方向的时候，需要注意外部硬件设计，不然可能会出现挂载时好时坏的失效情况。
2024-01-18
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如何使用降压转换器创建负电压输出
降压拓扑通常用于将较大的总线或系统电压转换为较小的电压，使用降压转换器的优点在于，与执行相同转换的线性调节器相比，效率非常高。为了从正输入电压产生负输出电压，设计者通常会选择降压-升压拓扑结构或可能的SEPIC转换器，这两者都提供了比线性调节器高得多的合理效率，但是使用降压转换器也可以达到相同的结果，只要稍微改变同步降压转换器的节点参考，就可以创建一个负升压转换器。
2024-01-15
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基于 GaN 的高效率 1．6kW CrM 图腾柱PFC参考设计 TIDA－00961 FAQ
高频临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-00961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™ F280049 控制器。
2024-01-12
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意法半导体公布新的公司组织架构
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 公布了新的公司组织架构，这项决定将从2024 年 2 月 5 日起生效。
2024-01-11
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高压MOS在适配器产品上的应用
电源适配器，英文Adapter通常指AC-DC（由交流输入转换为直流输出）的开关电源；一般由控制 IC、MOS管、整流肖特基管、电阻电容、磁性材料、DC 线、外壳等元器件及部件组成，通过整流、变压和稳压等转换形式，为电子设备等提供所需要的电能形态。
2024-01-10
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百家跨国公司看中国丨意法半导体曹志平：持续完善在华产业链部署
在化合物半导体发展热潮下，欧洲半导体巨头意法半导体（STMicroelectronics，以下简称“ST”）的动向备受关注。凭借早期与某全球知名电动汽车制造商推动相关器件在新能源汽车上应用落地，ST在碳化硅器件市场占据着优势份额。据ST介绍，其在全球碳化硅MOSFET市场份额已超50%。
2024-01-08
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意法半导体公布2023年第四季度及全年财报和电话会议时间安排
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)将在2024年1月25日欧洲证券交易所开盘前公布2023年第四季度及全年财务数据。
2024-01-08
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用于电动汽车充电器应用 PFC 的 SiC 器件
交流充电桩适合在家中或工作场所为电动汽车充电，因为目前车载充电器的额定功率通常达到11千瓦，充满电需要8~10小时。然而，对于假期等长途旅行，消费者希望在休息期间充电更快。
2024-01-04
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碳化硅助力实现 PFC 技术的变革
碳化硅（SiC）功率器件已经被广泛应用于服务器电源、储能系统和光伏逆变器等领域。近些年来，汽车行业向电力驱动的转变推动了碳化硅（SiC）应用的增长， 也使设计工程师更加关注该技术的优势，并拓宽其应用领域。
2024-01-03
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超高压MOS在变频器上的应用
典型的AC380V变频器应用框图，主要包括输入AC380V三相整流、三相逆变IGBT功率驱动、辅助电源等部分；其中辅助电源主要经过DC高压降压后为IGBT驱动IC、主控mcu、通讯模块芯片等供电。
2024-01-02
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