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Vishay推出采用TurboFET技术第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。
2008-12-05
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VSMF4720：Vishay新型SMD PLCC2封装高功率红外发射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出采用 PLCC2 封装的新型 870nm SMD 红外发射器，拓宽其光电子产品系列。该器件具有业界最低的正向电压及最高的辐射强度。
2008-11-25
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VBUS053AZ-HAF：Vishay新型USB-OTG总线端口保护阵列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新型超薄 ESD 保护阵列，该器件具有低电容和漏电流，可保护 USB-OTG 端口免受瞬态电压信号损坏。新器件在工作电压为 5.5V 时提供三线 USB ESD 保护，在工作电压为 12V 时提供单线 VBUS 保护。
2008-11-20
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SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，扩展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。
2008-11-20
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ECL系列：Vishay最新高电容值高纹波电流SMD铝电容器
日前，Vishay宣布推出新系列表面贴装铝电容器，这些器件可实现 +105°C 的高温运行，具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。新型 ECL系列极化铝电解电容器可在高密度 PCB 上实现表面贴装，这些器件具有非故态、自修复的电解质。为实现高温运行，其耐热垫与模塑底板提供了更高的稳定性与保护。
2008-11-05
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
2008-10-23
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电子元件：并购整合有利于低成本规模扩张
从近期行业最近动态来看，并购整合仍是业界的常态，较典型的有元件市场TDK与EPCOS二大巨头合并、Vishay收购Kemet电容器生产线。
2008-10-21
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TSOP2X/4X/58X/59X系列：Vishay 5V红外接收器升级产品
Vishay目前宣布，采用新一代集成电路升级5V红外接收器的性能，可将器件敏感度提高15%，并增强脉宽精度。
2008-10-01
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MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2：Vishay新型X2 EMI抑制薄膜电容器
Vishay目前宣布，推出三款最大电源电压可升至310 VAC的新型X2 电磁干扰（EMI）抑制薄膜电容器，该电容器具有较宽的引脚脚距和电容值范围。
2008-09-26
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SiE726DF：Vishay首款双面冷却30V功率MOSFET和肖特基二极管
Vishay目前宣布，推出业内首款采用具顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管，该可在具有强迫通风冷却功能的系统中高性能运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装，可提升高电流、高频运用的效率。
2008-09-24
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VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC
Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面贴装 X7R 多层陶瓷片式电容器 (MLCC) 现可提供可选聚合体端子。该器件专为耐受较高机械应用而设计，旨在减少机械破碎相关的电容器故障。
2008-09-19
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔电阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔电阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工业级别绝对 TCR、在 +25°C 时最多 8W 的额定功率、±4ppm/W （典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的 ∆R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
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