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SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，扩展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。
2008-11-20
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ECL系列：Vishay最新高电容值高纹波电流SMD铝电容器
日前，Vishay宣布推出新系列表面贴装铝电容器，这些器件可实现 +105°C 的高温运行，具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。新型 ECL系列极化铝电解电容器可在高密度 PCB 上实现表面贴装，这些器件具有非故态、自修复的电解质。为实现高温运行，其耐热垫与模塑底板提供了更高的稳定性与保护。
2008-11-05
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
2008-10-23
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电子元件：并购整合有利于低成本规模扩张
从近期行业最近动态来看，并购整合仍是业界的常态，较典型的有元件市场TDK与EPCOS二大巨头合并、Vishay收购Kemet电容器生产线。
2008-10-21
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TSOP2X/4X/58X/59X系列：Vishay 5V红外接收器升级产品
Vishay目前宣布，采用新一代集成电路升级5V红外接收器的性能，可将器件敏感度提高15%，并增强脉宽精度。
2008-10-01
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MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2：Vishay新型X2 EMI抑制薄膜电容器
Vishay目前宣布，推出三款最大电源电压可升至310 VAC的新型X2 电磁干扰（EMI）抑制薄膜电容器，该电容器具有较宽的引脚脚距和电容值范围。
2008-09-26
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SiE726DF：Vishay首款双面冷却30V功率MOSFET和肖特基二极管
Vishay目前宣布，推出业内首款采用具顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管，该可在具有强迫通风冷却功能的系统中高性能运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装，可提升高电流、高频运用的效率。
2008-09-24
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VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC
Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面贴装 X7R 多层陶瓷片式电容器 (MLCC) 现可提供可选聚合体端子。该器件专为耐受较高机械应用而设计，旨在减少机械破碎相关的电容器故障。
2008-09-19
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔电阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔电阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工业级别绝对 TCR、在 +25°C 时最多 8W 的额定功率、±4ppm/W （典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的 ∆R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
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VBUS054CV-HS3：Vishay新型4线ESD保护阵列
Vishay推出最新小型 4 线 ESD 保护阵列，该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容，以保护两个高速 USB 端口或四个其它高频信号线，以免它们受到瞬态电压信号的损坏。
2008-09-05
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VO3526：Vishay 新型1A输出电流整合功率光敏可控硅
Vishay推出一款可输出 1A 电流来驱动电阻及电感负载的整合功率光敏可控硅，从而拓宽了其光电子产品系列。由于消除了对外部功率 TRIAC 的需求，该器件可降低设计成本并节省板面空间。
2008-08-27
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VLMK82/VLMY82：Vishay高强度功率SMD LED
日前，Vishay推出采用 CLCC-2 扁平陶瓷封装且具有 400mA 驱动电流的首个高强度淡黄色及黄色功率 SMD LED 系列。强大可靠且具有高光效率的 VLMK82.. 和VLMY82..器件具有 20K/W 的低热阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率，主要面向热敏应用。
2008-08-27
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