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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。

2008-10-23
电子元件：并购整合有利于低成本规模扩张

从近期行业最近动态来看，并购整合仍是业界的常态，较典型的有元件市场TDK与EPCOS二大巨头合并、Vishay收购Kemet电容器生产线。

2008-10-21
TSOP2X/4X/58X/59X系列：Vishay 5V红外接收器升级产品

Vishay目前宣布，采用新一代集成电路升级5V红外接收器的性能，可将器件敏感度提高15%，并增强脉宽精度。

2008-10-01
MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2：Vishay新型X2 EMI抑制薄膜电容器

Vishay目前宣布，推出三款最大电源电压可升至310 VAC的新型X2 电磁干扰（EMI）抑制薄膜电容器，该电容器具有较宽的引脚脚距和电容值范围。

2008-09-26
SiE726DF：Vishay首款双面冷却30V功率MOSFET和肖特基二极管

Vishay目前宣布，推出业内首款采用具顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管，该可在具有强迫通风冷却功能的系统中高性能运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装，可提升高电流、高频运用的效率。

2008-09-24
VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC

Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面贴装 X7R 多层陶瓷片式电容器 (MLCC) 现可提供可选聚合体端子。该器件专为耐受较高机械应用而设计，旨在减少机械破碎相关的电容器故障。

2008-09-19
VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔电阻

Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔电阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工业级别绝对 TCR、在 +25°C 时最多 8W 的额定功率、±4ppm/W （典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的 ∆R”）及 ±0.01% 的容差。

2008-09-17
VBUS054CV-HS3：Vishay新型4线ESD保护阵列

Vishay推出最新小型 4 线 ESD 保护阵列，该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容，以保护两个高速 USB 端口或四个其它高频信号线，以免它们受到瞬态电压信号的损坏。

2008-09-05
VO3526：Vishay 新型1A输出电流整合功率光敏可控硅

Vishay推出一款可输出 1A 电流来驱动电阻及电感负载的整合功率光敏可控硅，从而拓宽了其光电子产品系列。由于消除了对外部功率 TRIAC 的需求，该器件可降低设计成本并节省板面空间。

2008-08-27
VLMK82/VLMY82：Vishay高强度功率SMD LED

日前，Vishay推出采用 CLCC-2 扁平陶瓷封装且具有 400mA 驱动电流的首个高强度淡黄色及黄色功率 SMD LED 系列。强大可靠且具有高光效率的 VLMK82.. 和VLMY82..器件具有 20K/W 的低热阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率，主要面向热敏应用。

2008-08-27
SiB41*DK / SiB911DK：Vishay PowerPAK SC-75封装功率MOSFET系列

Vishay宣布推出采用 PowerPAK SC-75 封装的 p 通道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。

2008-08-20
298D系列：Vishay便携应用固体钽芯片电容器系列小封装产品

Vishay宣布扩展其 298D系列 MicroTan™ 固体钽芯片电容器，推出0402 封装尺寸的298D。此电容器充分利用已获专利的MAP（多阵列封装）装配技术以扩展产品系列，现已可在超薄小型0402 K封装中提供4.7µF-4V至10µF-4V的电容电压。

2008-08-15

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