功率器件-元器件,电路图讲解,元器件选型与采购,最专业的电子元件门户网站

为你找到相关结果294个

如何“榨干”SiC器件潜能？这几种封装技术提供了参考范例

随着全球对可再生能源和清洁电力系统的需求不断增长，光储充一体化市场为实现能源的高效利用和优化配置提供了创新解决方案。在此趋势引领下，碳化硅（SiC）产业生态正迅速发展，逐渐成为替代传统硅基功率器件的有力市场竞争者。

2024-09-03
OBC设计不断升级，揭秘如何适应更高功率等级和电压

消费者需求不断攀升，电动汽车(EV)必须延长续航里程，方可与传统的内燃机(ICE)汽车相媲美。解决这个问题主要有两种方法：在不显著增加电池尺寸或重量的情况下提升电池容量，或提高主驱逆变器等关键高功率器件的运行能效。为应对电子元件导通损耗和开关损耗造成的巨大功率损耗，汽车制造商正在通过提高电池电压来增加车辆的续航里程。

2024-08-22
不断改进 OBC 设计，适应更高的功率等级和电压

消费者需求不断攀升，电动汽车 (EV) 必须延长续航里程，方可与传统的内燃机 (ICE) 汽车相媲美。解决这个问题主要有两种方法：在不显著增加电池尺寸或重量的情况下提升电池容量，或提高主驱逆变器等关键高功率器件的运行能效。

2024-08-08
第1讲：三菱电机功率器件发展史

三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史，从早期的二极管、晶闸管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱电机一直致力于功率半导体芯片技术和封装技术的研究探索，本篇章带你了解三菱电机功率器件发展史。

2024-08-01
观众登记开启｜elexcon2024深圳国际电子展8月27-29日约您来见，20+重磅活动与数千新品引爆AI+技术生态

elexcon2024深圳国际电子展将于2024年8月27日至29日在深圳会展中心（福田）开幕。展会为电子产业复苏以及AI时代到来准备好了全栈技术和产品展示，包括AI芯片、嵌入式处理器/MCU/MPU、存储、智能传感、RISC-V技术与生态、AIoT方案、无源器件/分立器件、PMIC与功率器件、Chiplet和SiP先进封装等。

2024-07-18
功率器件模块：一种满足 EMI 规范的捷径

相邻或共用导电回路的电子器件容易受到电磁干扰 (EMI) 的影响，使其工作过程受到干扰。要确保各电气系统在同一环境中不干扰彼此的正常运行，就必须最大限度地减少辐射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半导体器件在工作期间需要进行快速开关，因此通常会产生传导型 EMI。在开关状态转换过程中，器件两端的电压和流经器件的电流会迅速改变状态。开、关状态间变化会产生 dv/dt 和 di/dt，从而在开关频率的谐波频率上产生 EMI。

2024-07-08
意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics, 简称ST; 纽约证券交易所代码: STM)，宣布将在意大利卡塔尼亚打造一座集8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模块制造、封装、测试于一体的综合性大型制造基地。通过整合同一地点现有的碳化硅衬底制造厂，意法半导体将打造一个碳化硅产业园，实现公司在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化硅的愿景。新碳化硅产业园的落地是意法半导体的一个重要里程碑，将帮助客户借助碳化硅在汽车、工业和云基础设施等领域加速电气化，提高能效。

2024-06-08
吉利汽车与意法半导体签署碳化硅长期供应协议，深化新能源汽车转型，推动双方创新合作

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团(香港交易所代码: HK0175)宣布，双方签署碳化硅(SiC)器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气（E/E）架构（如车载信息娱乐、智能座舱系统）、高级驾驶辅助（ADAS）和新能源汽车等相关领域的创新解决方案。

2024-06-06
使用 GaN IC 离线电源的大容量电容器优化

额定功率75W以下的适配器可细分为：输入滤波器、二极管整流器、输入输出电容器、IC控制器、辅助电源、磁性元件、功率器件和散热器。集成解决方案在缩小和简化转换器方面已经取得了长足的进步，目前的剩余组件是磁性元件、输入“大容量”电容器、输出电容器和 EMI 输入级。大量的研究和工程工作集中在高频交流/直流转换器设计上，以减小磁性元件的尺寸。然而，输入大容量电容器占据与适配器内的磁性元件相同或更大的体积。

2024-05-07
测试共源共栅氮化镓 FET

Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。

2024-04-07
双脉冲测试（DPT）的方法解析

双脉冲测试（DPT）是一种被广泛接受的评估功率器件动态特性的方法。以IGBT在两电平桥式电路中应用为例，如下图，通过调节直流母线电压和第一个脉冲持续时间，可以在第一个脉冲结束和第二个脉冲开始时捕捉到被测器件在任何所需的电压和电流条件下的开关瞬态行为。

2024-03-19
谈谈SiC MOSFET的短路能力

在电力电子的很多应用，如电机驱动，有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us，IGBT7短路时间是8us。而大部分的 SiC MOSFET 都没有标出短路能力，即使有，也比较短，例如英飞凌的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3us，EASY封装器件标称短路时间是2us。

2024-02-01

首页上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

关闭

关闭