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VBUS054CV-HS3：Vishay新型4线ESD保护阵列
Vishay推出最新小型 4 线 ESD 保护阵列，该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容，以保护两个高速 USB 端口或四个其它高频信号线，以免它们受到瞬态电压信号的损坏。
2008-09-05
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VO3526：Vishay 新型1A输出电流整合功率光敏可控硅
Vishay推出一款可输出 1A 电流来驱动电阻及电感负载的整合功率光敏可控硅，从而拓宽了其光电子产品系列。由于消除了对外部功率 TRIAC 的需求，该器件可降低设计成本并节省板面空间。
2008-08-27
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VLMK82/VLMY82：Vishay高强度功率SMD LED
日前，Vishay推出采用 CLCC-2 扁平陶瓷封装且具有 400mA 驱动电流的首个高强度淡黄色及黄色功率 SMD LED 系列。强大可靠且具有高光效率的 VLMK82.. 和VLMY82..器件具有 20K/W 的低热阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率，主要面向热敏应用。
2008-08-27
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SiB41*DK / SiB911DK：Vishay PowerPAK SC-75封装功率MOSFET系列
Vishay宣布推出采用 PowerPAK SC-75 封装的 p 通道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。
2008-08-20
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298D系列：Vishay便携应用固体钽芯片电容器系列小封装产品
Vishay宣布扩展其 298D系列 MicroTan™ 固体钽芯片电容器，推出0402 封装尺寸的298D。此电容器充分利用已获专利的MAP（多阵列封装）装配技术以扩展产品系列，现已可在超薄小型0402 K封装中提供4.7µF-4V至10µF-4V的电容电压。
2008-08-15
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VCS1625Z ：Vishay改进的S系列高精度箔电阻
Vishay宣布推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal® 箔 (BMF) 电阻，这些电阻在 -55°C～+125°C（+25°C 参考点）时具有 ±2 ppm/°C 的军用级典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超过 10,000 小时的 ±0.005% 负载寿命稳定性。
2008-08-15
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VSMP0603：Vishay Bulk Metal Z箔卷型表面贴装电阻
Vishay宣布推出新型 VSMP0603超高精度Bulk Metal Z 箔卷型表面贴装电阻。典型的 0603 电阻经过 1000 小时工作负荷后负载寿命稳定性 ≥0.1%，Vishay 新型器件在这方面已大幅改进，在额定功率、温度 70ºC 情况下工作 2000 小时负载寿命稳定性为 ±0.005%。
2008-08-13
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Hi-Rel COTS T97 系列：Vishay军用级63V固体钽贴片电容器
Vishay宣布，该公司扩展了其 Tantamount Hi-Rel COTS T97系列，可提供具有 63V 额定电压的固体钽贴片电容器，从而能够满足 +28V 电源设计中的额定值降低要求。
2008-08-08
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MCT 0603 AT：Vishay高性能专业汽车薄膜贴片电阻
Vishay宣布推出采用 0603 封装尺寸的业界首款专业汽车用薄膜贴片电阻，该电阻结合了高达 +175°C（1000 小时）的高工作温度以及先进额定功率。
2008-07-30
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S系列：Vishay改进的军用级高精度箔电阻
Vishay宣布推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal® 箔 (BMF) 电阻，这些电阻在 -55°C～+125°C（+25°C 参考点）时具有 ±2 ppm/°C 的军用级典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超过 10,000 小时的 ±0.005% 负载寿命稳定性。
2008-07-30
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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度轴向 Z 箔电阻
Vishay推出新型 VSA101轴向 Bulk Metal Z 箔电阻。这款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的温度范围内分别具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低绝对 TCR、额定功率时 ±5 ppm 的出色 PCR（“∆R，由于自加热”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的负载寿命稳定性。
2008-07-16
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P10L：Vishay Sfernice微型面板电位计
Vishay宣布推出具有长久使用寿命、温度系数低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板电位计。
2008-07-11
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