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VHP203：Vishay 新型密封式微型超高精度Z 箔电阻
为满足高可靠性应用中对性能的长期稳定性的需求，Vishay推出新型密封式 VHP203微型超高精度 Z 箔电阻。这款新型器件在 0°C～+60°C范围内具有 ±0.05 ppm/°C 的低绝对 TCR、额定功率时 ±5 ppm 的出色功率系数、±0.001% 的容差，以及 ±0.002% (20 ppm) 的负载寿命稳定性。
2008-06-27
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D2TO35：Vishay 新型35W厚膜功率电阻
Vishay宣布推出新型 35W 厚膜功率电阻，该器件采用易于安装的小型 TO-263 封装 (D2PAK)，并且具有广泛的电阻值范围。
2008-06-25
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TSHG*系列：Vishay 新型高功率850nm红外发射器
Vishay推出采用 5mm 带引线封装的新一代 850nm 红外发射器，从而拓宽了其光电子产品系列。TSHG5210 与 TSHG6210 具有 ±10°视角，而 TSHG5410 与 TSHG6x10 器件具有±18°视角。它们具有极高的辐射强度以及极低的正向电压。
2008-06-25
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VLMx32**：Vishay 新型热增强型功率SMD LED
Vishay宣布推出新系列功率表面贴装LED，这些器件极大改进了散热与亮度。新型 VLMx32..器件采用带引线框的 PLCC-4 封装，可实现比采用 PLCC-2 封装的 Vishay 高强度 SMD LED 的亮度提高了一倍。对于汽车应用，VLMx32**器件已通过 AEC-Q101 汽车标准认证。
2008-06-20
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有很小占位面积以及 1.2 V 时超低的导通电阻。
2008-06-18
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SiA***DJ：Vishay新型小型封装Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封装、厚度为 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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VBUS052BD-HT：Vishay新型双二极管总线端口保护阵列
日前，Vishay宣布推出新小型双二极管 ESD 保护阵列，旨在保护两个高速 USB 端口或最多两条其他高频信号线不受瞬态电压信号干扰。
2008-05-23
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增强型高电流密度 PowerBridge整流器的新系列，这些器件的额定电流为 10 A 至 25 A，最大额定峰值反向电压为 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
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TJ3-HT：Vishay新型环形高温电感器
Vishay宣布推出新型环形高电流、高温电感器。该器件具有业内最高额定及饱和电流以及业内最低电感和DCR。
2008-05-16
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan钽芯片电容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容，采用0805封装的该类电容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 µF条件下），而采用0603封装的具有业内最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
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VFCD1505：Vishay新型高精度Z箔表面贴装倒装芯片分压器
Vishay宣布推出新型VFCD1505表面贴装倒装芯片分压器。当温度范围在0°C 至 +60°C 以及-55°C 至+125°C时，该分压器分别具有±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低绝对 TCR、在额定功率時 ±5ppm的出色PCR跟踪（自身散热产生的 ∆R）及±0.005%的负载寿命稳定度。
2008-05-14
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DG系列：Vishay八款高精度仪表应用模拟多路复用器与开关
日前，Vishay推出八款面向高精度仪表应用的新型高频、低电荷注入模拟多路复用器与开关。这些产品还是同类器件中首批除标准 TSSOP 与 SOIC 封装外还提供采用 1.8mm×2.6mm 无引线微型 QFN 封装的器件。
2008-05-12
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