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CSM2512S：Vishay新型表面贴装Power Metal Strip电阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面贴装Power Metal Strip电阻，该电阻可在额定功率及+70ºC的条件下保持长达2,000小时的±0.05%负载寿命稳定性， 在–55ºC至+125ºC及25ºC参考温度条件下实现±15 PPM/ºC的绝对TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
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IHLP-2020BZ-01：Vishay 2020封装IHLP超薄、高电流电感器
Vishay宣布推出采用 2020 封装尺寸的新型 IHLP超薄、髙电流电感器。这款小型 IHLP-2020BZ-01具有 5.18mm×5.49mm 的占位面积、2.0mm 的超薄厚度、较高的最大频率，以及 0.1µH～10µH 的标准电感值。
2008-06-27
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VHP203：Vishay 新型密封式微型超高精度Z 箔电阻
为满足高可靠性应用中对性能的长期稳定性的需求，Vishay推出新型密封式 VHP203微型超高精度 Z 箔电阻。这款新型器件在 0°C～+60°C范围内具有 ±0.05 ppm/°C 的低绝对 TCR、额定功率时 ±5 ppm 的出色功率系数、±0.001% 的容差，以及 ±0.002% (20 ppm) 的负载寿命稳定性。
2008-06-27
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D2TO35：Vishay 新型35W厚膜功率电阻
Vishay宣布推出新型 35W 厚膜功率电阻，该器件采用易于安装的小型 TO-263 封装 (D2PAK)，并且具有广泛的电阻值范围。
2008-06-25
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TSHG*系列：Vishay 新型高功率850nm红外发射器
Vishay推出采用 5mm 带引线封装的新一代 850nm 红外发射器，从而拓宽了其光电子产品系列。TSHG5210 与 TSHG6210 具有 ±10°视角，而 TSHG5410 与 TSHG6x10 器件具有±18°视角。它们具有极高的辐射强度以及极低的正向电压。
2008-06-25
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VLMx32**：Vishay 新型热增强型功率SMD LED
Vishay宣布推出新系列功率表面贴装LED，这些器件极大改进了散热与亮度。新型 VLMx32..器件采用带引线框的 PLCC-4 封装，可实现比采用 PLCC-2 封装的 Vishay 高强度 SMD LED 的亮度提高了一倍。对于汽车应用，VLMx32**器件已通过 AEC-Q101 汽车标准认证。
2008-06-20
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有很小占位面积以及 1.2 V 时超低的导通电阻。
2008-06-18
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SiA***DJ：Vishay新型小型封装Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封装、厚度为 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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VBUS052BD-HT：Vishay新型双二极管总线端口保护阵列
日前，Vishay宣布推出新小型双二极管 ESD 保护阵列，旨在保护两个高速 USB 端口或最多两条其他高频信号线不受瞬态电压信号干扰。
2008-05-23
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增强型高电流密度 PowerBridge整流器的新系列，这些器件的额定电流为 10 A 至 25 A，最大额定峰值反向电压为 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
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TJ3-HT：Vishay新型环形高温电感器
Vishay宣布推出新型环形高电流、高温电感器。该器件具有业内最高额定及饱和电流以及业内最低电感和DCR。
2008-05-16
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan钽芯片电容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容，采用0805封装的该类电容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 µF条件下），而采用0603封装的具有业内最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
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