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VLRE31/VLRK31系列：Vishay新型高亮度SMD LED

为满足日益增长的对AlInGaP技术的需求，日前，Vishay宣布推出两种新系列的、采用倒立鸥翼式封装的黄色和红色SMD LED，这两种系列的SMD LED具有高发光强度和低功耗的特点。

2008-05-09
ACAS 0612 AT：Vishay新型汽车精密薄膜芯片电阻阵列

日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽车精密薄膜芯片电阻阵列，该器件已通过AEC-Q200测试，并具有1000V额定电压的ESD稳定性。该器件经优化可满足汽车行业对温度和湿度的新要求，同时可为工业、电信及消费电子提供较高的重复性和稳定的性能。

2008-05-09
VAR：Vishay 新型超高精度、高分辩率 Z 箔音频电阻

日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音频电阻，该电阻采取特殊设计，可增加信号清晰度。当温度范围在 -55°C 至 +125°C 时，该器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR（自身散热产生的 ∆R）、0.01% 的绝对容差且电流噪声小于 -40dB。

2008-05-07
Vishay荣获EE Times评选的模拟集成电路类年度最佳产品奖

日前，Vishay宣布，该公司的SiP12510 和SiP12511白色LED驱动器荣获2008年EE Times评选的年度电子产品创新 (ACE) 奖项中的模拟集成电路类最佳产品奖。ACE 奖褒奖电子工程业最具创新的公司及突破性技术。

2008-05-06
TSFF5510：Vishay宽视角新型高功率高速红外发射器

Vishay推出其首款宽视角、采用引脚封装的红外发射器，从而扩大了其光电子产品组合。通过其独特设计的镜头，TSFF5510具有 ±38º 视角，与标准的 5 mm 发射器相比，可提供更优异的性能。

2008-04-30
8STH06FP/8S2TH06FP/15STH06FP/15S2TH06FP：Vishay 四款高频整流器

日前，Vishay推出四款新型 600V FRED Pt 超高速整流器，这些器件具有超快、超稳定的反向恢复时间及低正向压降，可减少高效 PFC 及 SMPS 应用中的开关损失。

2008-04-25
Vishay的电点火器芯片电阻器荣获 EDN无源元器件和互联栏目第18届年度创新奖

Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亚州圣荷西举办的宴会和颁奖典礼上，其电点火器芯片电阻器（EPIC）荣获无源元器件和互联栏目的EDN创新奖。

2008-04-24
Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET

日前，为满足对便携式设备中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，该器件采用 MICRO FOOT芯片级封装，具有超薄厚度及最低导通电阻。

2008-04-09
VEMT系列：Vishay PLCC-2 封装的新型硅NPN光电晶体管

日前，Vishay推出采用可与无铅 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面贴装封装的新系列宽角光电晶体管。VEMT 系列中的器件可作为当前 TEMT 系列光电晶体管的针脚对针脚及功能等同的器件，从而可实现快速轻松的替代，以满足无铅 (Pb) 焊接要求。

2008-04-04
Vishay HE3 湿钽高能电容器被今日电子杂志评为年度最佳产品

日前，Vishay宣布，其HE3 湿钽高能电容器荣获今日电子杂志“2007 年度最佳产品奖”。

2008-03-31
Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，该器件具有破纪录的导通电阻规格及导通电阻与栅极电荷乘积。

2008-03-26
GA..系列：Vishay高额定电流的半桥600V 及1200V IGBT模块

日前，Vishay宣布推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。

2008-03-14

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