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Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，该器件具有破纪录的导通电阻规格及导通电阻与栅极电荷乘积。
2008-03-26
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GA..系列：Vishay高额定电流的半桥600V 及1200V IGBT模块
日前，Vishay宣布推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。
2008-03-14
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VLMW611../VLMW621..系列：Vishay新型功率SMD LED
日前，Vishay推出采用 InGan技术且具有低电阻及高光功率的两个新系列暖白色 SMD LED。VLMW611..系列采用 CLCC-6 封装，而 VLMW621..系列采用具有 0.9mm 业界超薄厚度的 CLCC-6 扁平封装。
2008-03-12
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PTS：Vishay新型铂SMD倒装片温度传感器
日前，Vishay宣布推出具有三种标准芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 且采用先进薄膜技术的新型铂 SMD 倒装片温度传感器。这些器件具有 ≤5s（空中）的较短反应时间以及 -55°C～+155ºC 的温度范围。
2008-03-07
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CRCW....-EL：Vishay新型高可靠性厚膜电阻
日前，Vishay宣布推出一款新型厚膜电阻，该电阻将超低的电阻值与面向电流感应应用的小容差及低 TCR 进行了完美结合。
2008-03-07
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WSL0603…18：Vishay 0.20W Power Metal Strip电阻
日前，Vishay宣布推出以小型 0603 封装具有 0.20 W 高额定功率的业界首款 Power Metal Strip电阻。WSL0603…18 的功率是标准 WSL0603 型器件的两倍，该产品是一种小型表面贴装电阻，主要面向直流到直流转换器、电源/锂离子电池管理系统以及计算机与电信系统的 VRM 中的高功率、电流感应应用。
2008-02-27
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Z202：Vishay新型202小型超高精度Z箔电阻
日前，Vishay宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔电阻，当温度范围在 0°C 至 +60°C 时，该电阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的负载寿命稳定性，在 5 Ω 至 30 kΩ 的标准阻抗范围内的任何容差下，可调整为任一特定值。
2008-02-08
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VEMI系列：Vishay 新型四通道、六通道及八通道EMI 滤波器
日前，Vishay宣布推出采用超紧凑型LLPXX13 无铅封装的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 滤波器。凭借 0.6 毫米的超薄厚度，新型 VEMI 滤波器系列可在面向移动计算、移动通信、消费类、工业及医疗应用的便携式电子设备中节省板面空间，以及提供 ESD 保护。
2008-02-06
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PE60：Vishay首款具有金属陶瓷元件的功率面板电位计
日前，Vishay宣布推出业界首款具有金属陶瓷元件的功率面板电位计，温度在 50°C 时其额定功率为 6 W。该PE60采用美国及欧盟套管螺纹和完全密封式封装，主要面向飞机驾驶舱、卡车与拖拉机、HVAC 系统、电焊机、加工设备、农场与采矿设备及防水设备等终端产品中的工业和航空控制面板及重型控制应用。
2008-02-01
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Vishay推出高温应用的第5 代高性能Schottky二极管系列
日前，Vishay宣布推出适用于高温应用的新型高性能 Schottky 二极管第 5 代硅平台，以及具有低正向压降、低反向漏电流和较高的最大结温的8款新型器件。
2008-01-30
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TSOP3X3..系列：Vishay五款AGC3 红外线接收器
为减少荧光灯 (CFL) 以及其它干扰信号源对红外线遥控系统的影响，Vishay日前宣布推出五款新型高灵敏度红外线接收器系列。上述AGC3 接收器适用于噪声环境和短脉冲码应用。
2008-01-30
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WSMS5515：Vishay新型Power Metal Strip仪表并联电阻
日前，Vishay宣布推出采用 5515 尺寸封装的新型 Power Metal Strip 仪表并联电阻，该器件具有 3W 功率以及低至 100µΩ 的超低电阻值。该WSMS5515仪表并联电阻采用可产生 100µΩ～500µΩ 超低电阻值的专有工艺技术，该技术可在面向工业及民用电子电表的电流表并联应用中提供更高的精确度。
2008-01-23
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