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微型无线电供电贴纸可测量物体间的作用力
在许多情况下，了解一个物体对另一个物体施加了多大的力非常重要。我们设计了一种小而薄的贴纸来测量和传递这类数据，而不需要电线或电池。加州大学圣迭戈分校的科学家们正在开发这种名为 ForceSticker 的设备。除其他用途外，它还可用于监测仓库中堆叠包裹的重量，确保人工膝关节不会伤害邻近的软骨，甚至为机器人提供触觉。
2023-10-26
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QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节
Charley Moser拥有EE博士学位，是我最早的模拟设计导师之一。从他那里，我学到了很多知识——混合pi晶体管建模、用于稳定性分析的Bode图对最小相位系统的限制、为什么要使用缓冲器以及如何设计缓冲器、防止击穿的双极基极拉电流、SCR在高温下的使用等。其中，如何在高电压下调节低功率是最引人注目的创新；这对我来说极具价值，因为我是多家仪器公司带电粒子光学方案中所用高压电源设计领域的高手。
2023-10-25
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IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路中消耗或损失的功率、发送至功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。
2023-10-25
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基于光学发射光谱法监测等离子体的光谱峰
海洋光学（Ocean Optics）长期以来一直为半导体工艺设备供应商的新材料研究提供强大支持，同时协助用户克服等离子刻蚀、沉积、涂层和清洁等方面的困难和挑战。海洋光学的光谱仪，基于光学发射光谱技术，被广泛应用于等离子体监测，并在刻蚀终点检测方面表现出色。
2023-10-24
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如何利用碳化硅打造下一代固态断路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在电动汽车 (EV) 和太阳能光伏 (PV) 应用中带来的性能优势已经得到了广泛认可。不过，SiC 的材料优势还可能用在其他应用中，其中包括电路保护领域。本文将回顾该领域的发展，同时比较机械保护和使用不同半导体器件实现的固态断路器 (SSCB) 的优缺点。最后，本文还将讨论为什么 SiC 固态断路器日益受到人们青睐。
2023-10-23
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艾睿5G和Wi-Fi 6融合无线通信解决方案
5G和Wi-Fi是针对不同应用需求所开发的通信技术，看似针对不同的市场与需求，但其实彼此之间具有互补性，若能够将5G和Wi-Fi技术相结合，将能够发挥5G和Wi-Fi技术各自的优势，并藉此扩大应用领域与市场。本文将为您介绍5G和Wi-Fi技术的最新发展与5G CPE（Customer Premises Equipment，用户驻地设备）的应用模式，以及由艾睿电子、Nordic等公司推出的相关解决方案。
2023-10-23
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射频信号链的原位非线性校准
提出了一种线性化级联组合信号IC的新方法，用于原位校正PCB缺陷和相互加载。这样可以大幅缩短系统设计/原型设计周期，并以可忽略不计的功耗成本最大限度地提高信号链性能。报告了使用高达3GHz的RF信号并使用12b/10GSPS ADC进行的实验结果，验证了该方法的有效性。
2023-10-23
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功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项
本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成电路噪声。为了减少电路噪声，需要认真考虑栅极电阻的选择，从而不必延长死区时间而造成功率损耗。本文介绍选择栅极电阻时的考虑因素，如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、寄生电感等。同时，将和大家探讨不同类型的栅极电阻及其在该应用中的优缺点。
2023-10-22
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如何保护电源系统设计免受故障影响
正常运行时间是工业自动化、楼宇自动化、运动控制和过程控制等应用中保障生产力和盈利能力的关键指标。执行维护、人为失误和设备故障都会导致停机。与停机相关的维修成本和生产力损失可能非常高，具体取决于行业和事件的性质。与维护和人为失误相关的停机无法避免，但大多数与设备相关的故障是可以预防的。本文重点介绍由电源故障引起的停机，以及如何在设备的电源系统中使用现代保护IC来防止发生电源故障。
2023-10-21
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给SiC FET设计PCB有哪些注意事项？
SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅。此类器件具有超快的开关速度和较低的传导损耗，能够在各类应用中提高效率和功率密度。然而，与缓慢的旧技术相比，高电压和电流边缘速率与板寄生电容和电感的相互作用更大，可能产生不必要的感应电流和电压，导致效率降低，组件受到应力，影响可靠性。此外，由于现在SiC FET导通电阻通常以毫欧为单位进行测量，因此，PCB迹线电阻可能相当大，须谨慎降低以保持低系统传导损耗。
2023-10-21
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低功耗、精准检测、超长待机，物联网设备助力实现“双碳”目标
在实现“碳达峰”和“碳中和”的“双碳”目标过程中，广泛存在的物联网设备是一个重要抓手。根据市场研究机构IoT Analytics发布的报告显示，2022年全球物联网连接数达到143亿；预计到2023年，这一数量将再增长16%，达到160亿个。
2023-10-20
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使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动
在许多隔离式电源应用中，功率 MOSFET 通常采用某种形式的桥配置，用于优化电源开关和电源变压器，从而提高效率。这些桥配置创建了高侧 (HS) 和低侧 (LS) 两种开关类型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等专用 HS 和 LS 栅极驱动器 IC 可在单个 IC 中为 HS 开关管以及 LS 开关管提供输出。
2023-10-20
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