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MVG在2023全国天线会议中展示SG Evo系统，在拱形环中采用无限采样专利技术
天线测量解决方案领导者Microwave Vision Group（MVG）今日宣布参加2023年8月20日至23日在哈尔滨举办的全国天线会议，并参与会议同期进行的产品展览，展出其采用了MVG无限采样专利技术的多探头测试系统——SG Evo。
2023-08-23
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有效测量碳化硅信号
碳化硅（SiC）技术已超越传统的硅（Si）绝缘栅双极晶体管（IGBT）应用，因为它具有大功率系统的主要热和电气优势。这些优势包括更高的开关频率、更高的功率密度、更好的工作温度、更高的电流/电压能力以及整体更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的组件和模块，作为系统升级和系统设计的新选择。
2023-08-22
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IGBTs给高功率带来了更多的选择
绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电气（GE）早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压（>200 V ）应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节（HVAC）系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求，并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合（GaN和SiC），Nexperia （安世半导体）正在推出多个 IGBT系列，首先便是600 V 器件。
2023-08-22
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集成稳压器消除了对分立元件的需求
集成电压调节器 (IVR) 是电源管理芯片中的一个新类别，它声称已经缓解了功率密度和能源效率之间长达数年的平衡问题。Empower Semiconductor由三位模拟资深人士于 2014 年共同创立，该公司创建了 5 × 5 毫米的封装，可以消除或集成分立元件。
2023-08-21
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适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案
随着设备变得越来越小，电源也需要跟上步伐。因此，当今的设计人员有一个优先目标：化单位体积的功率（W/mm 3）。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。
2023-08-21
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芯原股份周志刚：用高性能的功能安全SoC平台，助力ADAS方案落地
7月14日，在ICDIA 2023大会期间同期举办的“智能与自动驾驶”专题论坛上，芯原股份系统芯片平台部副总裁周志刚发表主题演讲，介绍了芯原的高性能芯片设计平台与自动驾驶解决方案。
2023-08-21
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贸泽电子提供品类丰富的Vishay汽车级产品
2023年8月18日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 供应多款Vishay针对汽车应用设计的产品。Vishay制定了自己的汽车级标准，目标是尽可能杜绝缺陷、事故和故障。该标准纳入了汽车行业的关键质量管理措施和健全的设计政策，在开发新品和改良现有产品时采用了失效模式和影响分析 (FMEA) 方法。
2023-08-19
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贸泽电子推出新一期EIT内容 分享数字疗法变革性的强大力量
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布其屡获殊荣的Empowering Innovation Together（共求创新，EIT）计划推出最新一期内容，共同探讨了数字疗法带来的变革性潜力。在本期EIT中，贸泽深入探究了关键技术与医学之间的紧密关联，帮助你了解各种元器件如何协同工作，以及它如何打破传统医疗体系的限制和壁垒，以期提供更为个性化且更容易获得的医疗保健服务。
2023-08-17
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泰瑞达张震宇：解读异构集成和Chiplet时代下，测试行业的机遇与挑战
2023年7月3日，中国 北京讯 —— 全球先进的自动测试设备供应商泰瑞达（NASDAQ:TER）宣布，受邀出席了SEMICON China 2023同期举办的“先进封装论坛 - 异构集成”活动。在活动中，泰瑞达Complex SOC事业部亚太区总经理张震宇发表题为《异构集成和Chiplet时代下，芯片测试行业的机遇与挑战》的精彩演讲，生动介绍泰瑞达对于先进封装，在质量和成本之间找到平衡和最优方案的经验和见解。
2023-08-17
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使用新型160V MOTIX三相栅极驱动器IC实现更好的电池供电设计（第一部分）
MOTIX™三相栅极驱动器集成电路6ED2742S01Q是英飞凌MOTIX™品牌的新成员，该品牌通过可扩展的产品组合提供低压电机控制解决方案。它是一款160V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器IC，采用5x5 mm² QFN-32封装，带有热效率高的裸露功率焊盘，并集成了电源管理单元(PMU)。这种易于使用的器件非常适合电池供电的工业无刷直流电机控制驱动器，如无绳电动工具、机器人、无人机和轻型电动车（LEV），电池电压范围为10.8V至120V。这种宽工作电压范围使其成为12V、24V、48V、72V和96V等多种电池类型的理想"一站式"栅极驱动器选择。
2023-08-16
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如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-15
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贸泽电子2023上半年新增29家制造商合作伙伴
2023年8月14日 – 提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布2023上半年增加了29家新制造商合作伙伴，继续扩大其产品供应阵容。贸泽目前代理超过1,200个制造商品牌，为其遍布全球的设计工程师、采购人员、教育工作者和学生等客户群体提供极其广泛的产品选择。
2023-08-15
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