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泰克助力汽车测试及质量监控实现效率和创新最大化
对于功率器件工程师而言，最大限度降低开关损耗是一项严峻挑战，尤其对于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的工程师更是如此。这种先进材料有望提高效率，但也有其自身的复杂性。测量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管 (GaN MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的开关参数，并评估其动态行为的标准方法是双脉冲测试 (DPT)。
2023-12-05
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从 L1~L5 自动驾驶芯片发生了哪些变化？
汽车芯片主要分为功能芯片、功率器件和传感器三大类。在传统燃油车中，平均芯片搭载量约为 500-600 颗/辆，而随着前面提到的汽车电动化、智能化的演进，平均芯片搭载量已提升至 1000 颗/辆，在新能源车中更是超过了 2000 颗/辆，未来随着电车智能化的升级，还有望提升至 3000 颗/辆，甚至更多。
2023-12-04
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OBC PFC车规功率器件结温波动与功率循环寿命分析
随着新能源汽车(xEV)在乘用车渗透率的逐步提升，车载充电机(OBC)作为电网与车载电池之间的单向充电或双向补能的车载电源设备，也得到了非常广泛的应用。相比车载主驱电控逆变器， 电源类OBC产品复杂度高，如何实现其高功率密度、高可靠性、高效率、高性价比等核心指标的优化与平衡，一直是OBC不断技术迭代与产品革新的方向。
2023-11-26
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上海贝岭车载逆变电源功率器件解决方案
作为一种电源转换器，车载逆变电源能够将储能电池直流电转换为220V的交流电，给笔记本电脑、数码相机、无人机等设备提供电能。其输出波形包括修正弦波和纯正弦波两种类型，修正弦波车载逆变电源价格便宜，但输出波形质量较差，适用于小功率用电设备；纯正弦波车载逆变电源可提供高质量交流电，适用于大部分用电设备，工作稳定，但价格较贵。
2023-11-23
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商业、建筑和农业车辆应用中TO-247PLUS分立封装的回流焊接
今天，功率半导体为很多应用提供高功率密度的解决方案。如何将功率器件的发热充分散出去是解决高功率密度设计的关键。通过使用IGBT焊接在双面覆铜陶瓷板(DCB)上可以帮助减少散热系统的热阻，前提是需要IGBT单管封装支持SMD工艺。本文将展示一种可回流焊接的TO-247PLUS单管封装，该封装可将器件芯片到DCB基板的热阻降至最低。
2023-11-21
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氮化镓取代碳化硅，从PI开始？
在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优劣，以及PI对于三种产品未来的判断，同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。
2023-11-16
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Transphorm氮化镓器件将DAH Solar SolarUnit的传统优势发挥到极致
DAH Solar的世界首个集成型光伏（PV）系统采用了Transphorm氮化镓平台，该集成型光伏系统已应用在大恒能源的最新SolarUnit 产品。使用了Transphorm的功率器件不仅能够生产出更小、更轻、更可靠的太阳能电池板系统，同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量。与目前常用的硅基解决方案相比，氮化镓器件能做到更高的开关频率和功率密度。更值得一提的是，系统中使用的这两款氮化镓功率管均采用 PQFN88 高性能封装，可与常用栅极驱动器配对，从而帮助 DAH Solar 缩短了设计时间。
2023-10-16
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从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求
随着新能源汽车和电动飞机概念的兴起，在可预见的未来里，电能都将会是人类社会发展的主要能源。然而，随着电气化在各行各业的渗透率不断提升，每年全社会对电能的消耗量都是一个天文数字。比如在中国，根据国家能源局发布的数据，2022年全社会用电量86,372亿千瓦时，同比增长3.6%；其中，高速发展的新能源汽车在整车制造方面，用电量大幅增长71.1%。
2023-10-09
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半导体功率器件的无铅回流焊
半导体器件与 PCB 的焊接历来使用锡/铅焊料，但根据环境法规的要求，越来越多地使用无铅焊料来消除铅。大多数适合这些应用的无铅焊料是具有较高熔点的锡/银合金，相应地具有较高的焊料回流温度。
2023-10-09
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多元融合高弹性电网初落地，电源和功率器件迎行业风口
每到盛夏，我国江浙沿海一带就会出现电力紧张问题。因此，“高温下保供电”便成为各地的主要方针。同时，随着新能源汽车渗透率提升，电能供应的挑战会越来越大。为了能够更好地解决供电难题，多元融合高弹性电网成为电力能源领域的热门概念，并已经得到了初步的落实。
2023-09-22
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驱动SiC MOSFET
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用，但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER™ 1ED34X1系列可提供高的输出电流、米勒钳位保护、精准的短路保护、可调的软关断等功能，为新一代的功率器件保驾护航。
2023-09-18
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如何在有限空间里实现高性能？结合最低特定RDS(On)与表面贴装技术是个好方法！
SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术的性能优势，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET现可采用表面贴装TOLL封装，由此增加了自动装配的便利性，同时减少了元件尺寸，并达成出色的热特性，在功率转换应用中实现了功率密度最大化和系统成本最小化。
2023-09-18
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