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Vishay开发出可承受1850A电流尖峰冲击的缓冲电容
中高功率逆变器中的IGBT切换时会引起很大的电压和电流尖峰，这种尖峰是导致严重EMI的重要原因。Vishay最新开发的缓冲电容可承受2500V/μs的高能脉冲和1850A的峰值电流，寿命超过30万小时，可耐105℃高温。
2013-07-20
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Vishay新增超高容量液钽电容器，75V下容量达1000 µF
Vishay日前宣布推出采用特殊密封的新型超高容量系列液钽电容器---T18系列。新型液钽电容器适用于航空和航天应用，采用D外形尺寸，在75V下的容量高达1000 µF。
2013-07-20
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Vishay携最新半导体和无源元件出展
日前，Vishay 宣布，将展出其最新的半导体和无源元件，展示其在各个产品线上所取得的业界领先的创新技术，帮助各种应用提高效率和可靠性。展品包括LED驱动、二极管、最新电容器、电阻和电感器等。
2013-07-05
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Vishay将在2013中国电子展成都站展示最新业界领先技术
Vishay将在6月20至22日成都世纪城新国际会展中心举行的2013中国电子展成都站（夏季会）上展出其全线技术方案。Vishay的展位在3号馆A214，展示亮点是其最新的业界领先的创新产品，包括无源元件、二极管、功率MOSFET、功率IC和光电子产品。
2013-06-18
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Vishay新型单相桥式整流器 反向电压可达1000V
日前，Vishay推出四款单相桥式整流器MBL104S、MBL106S、MBL108S和MBL110S，反向电压可达1000V，能够承受最高30A浪涌电流。该器件采用薄型MBLS封装，十分适用于智能手机充电器的AC/DC全波整流。
2013-05-10
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Vishay推出满足航空、航天需求的T16系列液钽电容器
近日，Vishay宣布，其采用glass-to-tantalum密封条的T16系列液钽电容器现可供货，有A、B、C和D四种外形代码。对于航空和航天应用，这些加固过的器件具有更好的耐振动（正弦周期振动：50g；随机振动：27.7g）能力。
2013-05-09
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Vishay推出低至20mΩ导通电阻的P沟道高边负载开关
近日，Vishay推出可在1.5V～5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关---SiP32458和SiP32459，在3.3V和5V下的导通电阻为20mΩ，将4.5V下的导通电压上升斜率控制在3ms，限制使用容性或噪声敏感负载的设计方案的涌入电流。
2013-05-06
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Vishay新款功率MOSFET导通电阻比前一代器件低45%
Vishay Siliconix 新型N沟道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP，电压扩大至150V，为DC/DC应用提供18mΩ导通电阻，适用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器，以及通信砖式电源、太阳能微逆变器和无刷直流电机的升压转换器中的初级侧和次级侧的同步整流。
2013-04-24
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具有2W的高功率0.001Ω低阻值0.5%容差的电阻产品
日前，Vishay宣布，推出2010外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip电阻---WSLP2010。该电阻具有2W的高功率等级和0.001Ω的极低阻值，以及0.5%的稳定电阻容差。
2013-01-28
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非常适合OLED显示器的0.8mm低外形0805钽电容
Vishay推出新款MICROTAN片式钽电容器，新器件0.8mm至1.0mm高度及外形尺寸可用于空间受限的消费电子产品，具有3.3µF-35V～220µF-4V的高CV等级。
2013-01-23
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具有3KW抗浪涌能力的汽车级SMT双向TVS
Vishay新款表面贴装TRANSZORB双向TVS具有3kW的高浪涌能力，该器件采用SMC DO-214AB封装，浪涌能力是传统1.5kW器件的两倍，可保护敏感的电子设备免遭由系统感性负载切换和闪电所引入的电压瞬态的破坏。
2013-01-16
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新款表面贴装TVS：比传统器件浪涌能力高233%
Vishay的新款表面贴装PAR TVS器件具有5kW的高浪涌能力，该器件采用DO-214AB封装和+185℃的工作结温，比采用SMC封装的传统1.5kW器件的浪涌能力高233%,该系列器件可用于汽车和电信应用。
2013-01-14
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