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IQE宣布与MICLEDI合作，开发用于AR产品的微型LED
IQE plc（AIM 股票代码：IQE，以下简称“IQE”或“集团”），全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材料解决方案提供商，近日郑重宣布与 MICLEDI Microdisplays（以下简称“MICLEDI”）达成合作，专注实现 microLED 技术的大规模商用。
2022-10-10
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RX24T电机驱动配置：3电阻采样（上）
电机（英文：Electric machinery，俗称“马达”）是指依据电磁感应定律实现电能转换或传递的一种电磁装置。它主要是利用通电线圈（也就是定子绕组）产生旋转磁场并作用于转子（如鼠笼式闭合铝框）形成磁电动力旋转扭矩。
2022-10-08
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贸泽推出各种Microchip创新MCU解决方案，为嵌入式系统工程师提供更多支持
2022年9月21日 – 专注于引入新品并提供海量库存™的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 持续为嵌入式系统工程师提供一系列支持资源。作为Microchip Technology解决方案的全球授权分销商，贸泽备有其新一代MCU、混合信号、模拟和闪存IP解决方案，以降低各类应用的产品开发风险并加快上市。贸泽还为工程师提供了电子书等丰富的Microchip资源，为设计提供支持。
2022-10-01
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Digi-Key推出 2022 开学季大抽奖，推动学生进行创新和学习
全球供应品类丰富、发货快速的现货电子元器件分销商 Digi-Key Electronics，开启备受期待的年度开学季抽奖活动，让大学生们有机会赢取奖品，Digi-Key 为他们提供需要的工具，帮助他们发挥想象力和展开工程设计，同时鼓励和支持他们提升技能并培养他们对工程设计的热情。
2022-10-01
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安森美在捷克共和国扩建碳化硅工厂
2022年9月22日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，庆祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化硅 (以下简称“SiC”) 工厂的落成。以工业和贸易部科长Zbyněk Pokorný、兹林州州长Radim Holiš和市长Jiří Pavlica以及当地其他政府要员为首的多位嘉宾出席了剪彩仪式，表明这一事件和半导体制造在捷克共和国的重要性。
2022-10-01
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贸泽推出EIT计划第5期 - 探讨私有5G网络的潜力
2022年9月30日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出其Empowering Innovation Together™计划的最新一期。本期将探讨用于工业物联网部署的私有5G网络的商业用例，这些网络可按照5G New Radio (NR) Release 16独立拥有、管理和保护。
2022-10-01
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高转换率、符合CISPR 5类电磁辐射标准的稳压器长这样
当设计中需要优先考虑并尽可能减少EMI（电磁干扰）时，线性稳压器可以算得上一种低噪声解决方案，但考虑到散热和效率要求其并不适用于该种场景，反而需要选择开关稳压器。即使在对EMI敏感的应用中，开关稳压器通常也是输入电源总线上的第一个有源元件，无论下游变换器如何，它都会显著影响整个转换器的EMI性能。确保可以通过电源IC的选取可以抑制EMI并达到效率要求，LT8614 Silent Switcher™稳压器做到了这一点。
2022-09-29
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什么是射频衰减器？如何为我的应用选择合适的RF衰减器？
本文延续之前的一系列短文，面向非射频工程师讲解射频技术；我们将探讨IC衰减器，并针对其类型、配置和规格提出一些见解。本文旨在帮助工程师更快了解各种IC产品，并为终端应用选择合适的产品。该系列的相关文章包括："为应用选择合适的RF放大器指南"、"如何轻松选择合适的频率产生器件"和"RF解密–了解波反射"。
2022-09-28
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使用碳化硅进行双向车载充电机设计
电动汽车（EV）车载充电机（OBC）可以根据功率水平和功能采取多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到 2 kW，到高端电动汽车中的 22 kW 不等。传统上，充电功率是单向的，但近年来，双向充电越来越受到关注。本文将重点关注双向 OBC，并讨论碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC 中的优势。
2022-09-27
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构建满足特定应用要求的DPS系统需要考虑这些因素！
器件电源(DPS) IC具有灵活的电压驱动和电流驱动容量，能够为自动测试设备(ATE)提供动态测试能力。当负载电流介于两个设定限流值之间时，DPS IC可以作为电压源；在达到设定限流值时，DPS IC可以顺利转换为精密电流源。
2022-09-27
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技术如何提高器件性能和寿命
由于碳化硅（SiC）器件的低导通损耗和低动态损耗，英飞凌CoolSiC™ MOSFET越来越多地被用于光伏、快速电动车充电基础设施、储能系统和电机驱动等工业应用。但与此同时，工程师也面临着独特的设计挑战。实现更小的外形尺寸，同时保持功率变换系统的散热性能，是相互矛盾的挑战，但英飞凌创新的.XT技术与SiC技术提供了一个解决方案。
2022-09-27
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关断栅极电压欠冲对SiC MOSFET导通行为的影响
本文探讨了关断时发生的栅极电压欠冲对导通开关特性的影响。这种影响来自于阈值电压的迟滞效应，指栅偏压变化时，阈值电压的完全可恢复瞬态偏移。阈值电压的迟滞效应是由半导体-绝缘体界面缺陷中，电荷的短期俘获和释放引起的。因此，关断时的栅极电压欠冲会对碳化硅（SiC）MOSFET的开关特性产生影响。
2022-09-20
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