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耐潮、高精度匹配的车用MPMA精密配对电阻网络
Vishay发布新款车用MPMA精密配对电阻网络,阻分压器采用小尺寸表面贴装SOT-23封装并通过AEC-Q200认证，具有±0.05%的严格比例容差和±2ppm/℃的TCR跟踪。
2012-12-14
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20个电阻的精密MELF套件：电阻的精度达0.1%
Vishay推出新款精密样品套件，方便易用的原型助手提供了MMA 0204和MMB 0207封装的E96系列中四分之一器件的阻值，电阻的精度为0.1%，温度系数为±25ppm/K。
2012-12-13
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高功率车用电机驱动的40V N沟道MOSFET
Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET，改器件采用7脚D2PAK封装并具有1.1mΩ的低导通电阻和200A的连续漏极电流，可在温度范围-55˚C～+175˚C下工作。
2012-12-11
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用于智能手机充电器的新款45V整流器，现已量产
Vishay发布采用SlimSMA封装的新款45V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器，高电流密度的器件具有5A正向电流和低至0.37V的VF。可在智能手机充电器等空间受限应用的极性保护中减少功率损耗，并提高效率。
2012-12-07
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探测距离能超1米的接近传感器，明年3月量产
Vishay推出集成了红外发射器、光电二极管、信号处理IC和16位ADC的接近传感器，器件采用4.85mm x 2.35mm x 0.83mm封装，待机电流只有1.5µA，如使用集成的发射器驱动来驱动，探测距离可超过1米，同时可极大降低功耗。
2012-12-04
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0.8mm x 0.8mm封装的芯片级功率MOSFET
Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET，器件具有0.8mm x 0.8mm封装，在4.5V下导通电阻低至43mΩ，可使便携式电子产品变得更薄、更轻。
2012-12-03
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Vishay推出具有ESD保护的600V标准整流器
Vishay近日宣布，推出新款通过AEC-Q101认证并具有ESD保护的600V标准整流器SE20AFJ和SE30AFJ。该款高电流密度器件通过AEC-Q101认证,具有高达3A的正向电流。
2012-11-23
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Vishay推出高功率电池分流电阻，容限为5.0%
Vishay发布高功率Power Metal Strip电池分流电阻，容限为5.0%，提供更准确的数据来判定电池的充电和放电，帮助设计者满足特定用户对电池管理的要求。模塑外壳可简化设计，降低解决方案的总成本。
2012-11-23
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Vishay推出600V高度仅有0.95mm标准整流器
Vishay发布新款600V标准整流器，具有一个氧化物平面芯片结，最高工作结温达到+175℃，采用高度仅有0.95mm的表面贴装SlimSMA DO-221AC封装，并已实现量产。
2012-11-23
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用于光伏寿命达500小时的电容器
Vishay 推出新系列的卡扣式功率铝电容器-193 PUR-SI Solar，在50℃下额定电压达500V，在105℃下达到450V。193 PUR-SI Solar器件在无负载情况下，会出现最高电压的太阳能应用，具有很长的使用寿命，在+105℃和100Hz下的额定纹波电流达到2.52A。
2012-11-07
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面向中国电子设计工程师，e络盟再增14万新品
e络盟（element14）日前宣布新增来自行业领先厂商，包括ADI、意法半导体、德州仪器、Vishay和XP Power等的14万多种最广泛系列电子设计产品，涵盖半导体集成电路、分立元件、无源元件、电源以及开发工具等。
2012-11-05
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耐潮水平增加50倍的新款氮化钽薄膜片式电阻
【导读】Vishay推出通过QPL MIL-PRF-55342测试的新款表面贴装片式电阻---E/H (Ta2N) QPL，保证可靠性达到100ppm的“M”级失效率。新的E/H (Ta2N) QPL电阻使用耐潮的氮化钽电阻膜技术制造，为国防和航天应用提供了增强的性能规格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR，耐潮水平超过MIL-PRF-55342限值的50倍。
2012-11-03
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