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韩国三星电子宣布新型CMOS传感器量产

发布时间:2009-12-10 来源:电子元件技术网

新闻事件:
  • 三星宣布提高CMOS传感器灵敏度的背面照射技术达到了实用化水平,2010年将批量生产产品
行业影响:
  • 三家大型CMOS传感器公司均将在2010年之前开始量产采用背面照射技术的CMOS传感器

韩国三星电子宣布提高CMOS传感器灵敏度的背面照射技术达到了实用化水平,2010年将批量生产产品。至此,三家大型CMOS传感器公司均将在2010年之前开始量产采用背面照射技术的CMOS传感器。

背面照射是能够消除CMOS传感器唯一的缺点——灵敏度低的技术。CMOS传感器的光传感器(光电二极管)上面有3层等多层布线层,遮挡了部分入射光,灵敏度比只有1层布线层的CCD传感器要低,只有后者的一半左右。而BSI型CMOS传感器的光传感器上面没有布线层,从光传感器的背面(硅底板侧)采光,能够防止遮挡入射光。
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