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保护器件过电应力失效机理和失效现象浅析
半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。
2021-11-16
保护器件 过电应力失效
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基于模型的GAN PA设计基础知识：GAN晶体管S参数、线性稳定性分析与电阻稳定性
在简单的线性射频/微波放大器设计中，一般利用s参数匹配使增益和增益平坦度最大。同样也会利用这些 S 参数数据来开发匹配网络，以解决放大器稳定性问题。本文讨论在设计氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA) 过程中，使用模型模拟基本的 S 参数和稳定性分析的重要性。文中介绍使用模型和电阻稳定性技术来帮...
2021-11-16
GAN晶体管 S参数 电阻稳定性
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示波器最常用的Auto功能，真的这么万能吗？
Auto功能是示波器最常用的功能，无论示波器因为什么原因抓不到波形，但是使用Auto，很快就能抓到！究竟Auto做了什么？是否真的这么全能，本文就带您来探索Auto的神秘！
2021-11-16
示波器 Auto功能
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3D霍尔效应传感器如何在自治系统中实现精准的实时位置控制
随着工业 4.0 的先进制造工艺席卷全球市场，高度自动化系统的需求急剧增长，这些系统既需要在集成的制造流程中运行，又需要不断收集流程控制数据。大多数此类系统（包括机械臂中的磁性编码器、接近传感器、传动器、压力变送器、线性电机和自主移动机器人）均需要先进的位置感应解决方案来控制性能并...
2021-11-16
3D霍尔效应 传感器 实时位置控制
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电磁兼容问题百问百答：什么是浪涌？
一般来说，浪涌是电路中电流、电压或功率的瞬态波。特别是在电力系统中——这可能是我们与浪涌相关的最常见的背景——浪涌或瞬态，是持续时间小于正常电压波形半个周期的子周期过电压。浪涌可以是正极性或负极性，可以是正常电压波形的加法或减法，并且通常会随着时间的推移而振荡和衰减。
2021-11-16
电磁兼容 浪涌
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改进型移相全桥ZVS DC－DC变换器的特点应用及控制电路设计
容易看出改进型的电路拓扑与基本型电路的主要差别在于副边整流电路，该整流电路被称为倍流整流器（Current-Doubler Rectifier，CDR），是目前应用的热点之一。下面首先介绍一下该整流电路。与全波整流相比，倍流整流器的高频变压器副边绕组仅需一个单一绕组，不用中心抽头。
2021-11-15
移相全桥ZVS DC－DC变换器 控制电路设计
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干货 | 加速特征相关(FD)干法刻蚀的工艺发展
在干法刻蚀中，由于与气体分子的碰撞和其他随机热效应，加速离子的轨迹是不均匀且不垂直的（图1）。这会对刻蚀结果有所影响，因为晶圆上任何一点的刻蚀速率将根据大体积腔室可见的立体角和该角度范围内的离子通量而变化。
2021-11-15
干法刻蚀
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