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瑞萨电子扩展“云实验室”，重塑远程设计
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，扩展倍受欢迎的“云实验室”，以简化配置和测试流程，加快产品上市速度。瑞萨借助先进GUI功能和全新设计参数增强其远程实验室，打造更具吸引力且更符合用户使用习惯的用户体验，并为设计者带来更高配置灵活性。
2021-09-07
瑞萨电子 云实验室 远程设计
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边缘计算网关的接口保护设计
随着物联网的兴起以及云服务的普及，一种新的计算范式–边缘计算开始出现在我们视野中。边缘计算主张在网络的边缘处理数据，从而减少系统反应时间，保护数据隐私及安全，延长电池使用寿命，节省网络带宽。目前应用分为工业和车载应用。
2021-09-07
边缘计算 网关 接口保护
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在正确的比较中了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化
比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。
2021-09-07
SiC FET 导通电阻 温度变化
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负压脉冲高？教你3招制伏
随着5G通信与新能源车的普及，人们对高效率电源的需求越来越多。而提升电源转换效率的关键因素就在于开关电源中的功率部分。
2021-09-07
负压脉 5G通信 电源效率
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开关电源中的局部放电
局部放电（partial discharge，简称PD）现象，通常主要指的是高压电气设备绝缘层在足够强的电场作用下局部范围内发生的放电，某个区域的电场强度一旦达到其介质击穿场强时，该区域就会出现放电现象。这种放电以仅造成导体间的绝缘局部短（路桥）接而不形成导电通道为限。每一次局部放电对绝缘介质都...
2021-09-07
开关电源 局部放电
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板子上的MOSFET莫名炸机，多半是这个原因！
MOSFET、IGBT是开关电源最核心也是最容易烧坏的器件！其原因大多是过压或过流导致功耗大增，从而使器件损坏，甚至可能会伴随爆炸。而SOA安全工作区测试，就是保障其安全工作的重要测试项目！
2021-09-07
MOSFET 炸机 开关电源
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高速SerDes均衡之FFE
高速接口SerDes为实现芯片间信号的有线传输，需要完成数字到模拟的转化，经过通道传输后，再将模拟信号转回数字信号。并保证传输过程保持比较低的误码率。本期，结合信道的特性，我们来了解一下SerDes的发送端TX的均衡原理。
2021-09-07
高速接口 均衡原理
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