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当电子元件性能下降，如何保护您的模拟前端？
EOS是一个通用术语，表示因为过多的电子通过相应路径试图进入电路，导致系统承受过大压力。有一点需要注意，这是一个随功率和时间变化的函数。
2019-08-06
电子元件 性能下降 模拟前端
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三极管的开关速度与加速电容分析
晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。
2019-08-06
三极管 加速电容
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屏蔽效能分析
屏蔽效能表现了屏蔽体对电磁波的衰减程度。由于屏蔽体通常能将电磁波的强度衰减到原来的百分之一至万分之一, 因此通常用分贝(dB)来表述。一般的屏蔽体的屏蔽效能可达40 dB, 军用设备的屏蔽体的屏蔽效能可达60 dB, TEMPEST设备的屏蔽体的屏蔽效能可达80 dB以上。
2019-08-06
屏蔽 效能分析
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耦合与退耦，上拉与下拉！
耦合指信号由第一级向第二级传递的过程，一般不加注明时往往是指交流耦合。退耦是指对电源采取进一步的滤波措施，去除两级间信号通过电源互相干扰的影响。耦合常数是指耦合电容值与第二级输入阻抗值乘积对应的时间常数。
2019-08-06
耦合 退耦 上拉 下拉
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常见电路保护元器件介绍与比较
电路保护是电路设计的基本功，其中涉及的元器件有很多种，熟悉并掌握每种不同电路保护元器件的特性十分重要。本文将对几种常见的电路保护元器件进行介绍和比较。
2019-08-06
电路保护 元器件
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元器件筛选原则是什么？常见的筛选项目有哪些？
电子元器件的固有可靠性取决于产品的可靠性设计，因此，应该在电子元器件装上整机或设备之前，就要设法尽可能排除掉存在问题的元器件，为此就要对元器件进行筛选。那么，元器件筛选都有哪些方案？原则是什么？常见的筛选项目有哪些？
2019-08-06
元器件筛选
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CMOS电路的ESD保护结构设计
静电放电（ESD - ElectroStatic Discharge）会给电子器件带来破坏性的后果，是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步...
2019-08-05
CMOS电路 ESD保护
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