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纤巧4A降压型µModule稳压器LTM4624占板面积不足1cm2
凌力尔特推出纤巧4A降压型µModule稳压器LTM4624，完整解决方案的占板面积不足1cm2。LTM4624 可在4V至14V的输入电压范围内运作，提供一个0.6V至5.5V的可调输出，非常适合通信、存储、工业和医疗系统等应用。
2013-08-21
Linear µModule 稳压器 LTM4624
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美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT
近日，美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT，快速高效的40A、70A和95A晶体管提供业界最佳的开关损耗性能。专为严苛环境工作而设计，尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。
2013-08-21
美高森美 NPT IGBT IGBT
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SynQor新型半砖瞬态EMI滤波器，差模干扰衰减能力超80dB
SynQor发布新产品MiL-COTS半砖瞬态EMI滤波器，这些新型瞬态EMI滤波器适用于广泛的军事标准，在恶劣环境下有很强的适应能力，比如有超过80dB的差模干扰衰减能力和在250kHz时有36dB的共模干扰衰减能力，且直流电阻小，还有一个用于稳定大电容系统的电阻。
2013-08-21
EMI滤波器 滤波器 瞬态EMI滤波器 SynQor
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安捷伦教你：轻松应对多标准无线电基站发射机测试挑战
在下一代基站发射机和接收机中，GSM、W-CDMA 和 LTE 多载波可以同时从一个多标准无线电基站单元进行传输，但采用多标准无线电多载波配置使得对多标准无线电基站发射机进行测试面临巨大的挑战。为确保多标准无线电基站的顺利部署，有必要通过一种快速、高效的途径来应对测量挑战。
2013-08-21
基站发射机测试 基站发射机 多标准无线电基站 安捷伦 LTE
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原创深挖：各种开关电源功率MOSFET损坏的原因和形态
工程师们将损坏的功率MOSFET送到半导体原厂做失效分析后，得到的结论通常是过电性应力EOS，却无法判断是什么原因导致MOSFET的损坏。功率MOSFET损坏有哪些原因和形态？一牛人拍下了功率MOSFET不同损坏形态的失效分析图片，结合功率MOSFET管的工作特性，系统的分析开关电源功率MOSFET各种损坏模式，还...
2013-08-21
开关电源 功率MOSFET MOSFET MOSFET损坏
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TDK新型应答器线圈，体积更小电感值更高
近日，TDK开发出尺寸仅7.85×2.70×2.70mm应答器线圈， 新型应答器线圈通过采用TDK独有的结构设计以及在材料技术方面培养的铁氧体作为磁性材料，实现了较以往产品相比更加小型化、电感值更高的特点。该产品将作为汽车的胎压监测系统用天线线圈。
2013-08-21
TDK 电感器 应答器 应答器线圈
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IGBT驱动和保护电路的应用设计
IGBT的驱动和保护电路是电路设计的难点和重点，是整个装置运行的关键环节。本文设计了一个驱动电路，可驱动l700v，200～300A的IGBT。硬件上实现了对两个IGBT的互锁，并设计了可以直接给两个IGBT供电的驱动电源。
2013-08-21
IGBT 驱动 驱动电路
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