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第二讲：基于IGBT的高能效电源设计

时至今日，绿色、环保、低能耗、高能效等理念时刻影响着消费者的决策。为此，广大设计人员在设计产品时就需要尽量降低能耗，实现高能效。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）能够帮助产品设计者应对他们所面临的设计具有更高电路效率和性能的产品的挑战。本文就为大家分析基于IGBT的高能效电源设计。

2013-05-10

IGBT 高能效

IGBT是电力电子重要大功率主流器件之一，已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。那么该如何做好IGBT的保护及设计呢？国内市场需求急剧上升曾使得IGBT市场一度被看好，今后的发展趋势又将如何？

2013-05-09

IGBT IGBT保护 IGBT设计

近日，百利通半导体公司推出一个全新的带有温度补偿的晶体振荡器（TCXO）产品系列，其中多款产品都增加了电压控制选项（VCTCXO），在-40°C到+85°C工业级温度范围内能提供优异的±0.5ppm频率稳定性，所支持的频率范围从几MHz到最大值40MHz，几乎覆盖所有的应用需求。

2013-05-09

百利通半导体公司 TCXO

近日，Vishay宣布，其采用glass-to-tantalum密封条的T16系列液钽电容器现可供货，有A、B、C和D四种外形代码。对于航空和航天应用，这些加固过的器件具有更好的耐振动（正弦周期振动：50g；随机振动：27.7g）能力。

2013-05-09

Vishay 液钽电容器航空航天

德州仪器UCC27531单通道栅极驱动器可以非常靠近电源开关栅极放置。相比在一块单IC中组合高侧/低侧栅极驱动器，它的灵活度更高，可帮助最小化驱动器和电源开关之间的电感，并让设计人员能够更好地控制开关栅极。

2013-05-09

开关电源驱动器可再生能源

USB3.0具有高达5Gbps的资料传输速度，但其控制晶片对ESD的耐受能力也快速下降，加上最普遍的USB热插拔动作，也极易造成电子系统工作异常，甚至造成USB控制晶片毁坏，因此，使用额外的ESD保护元件于USB3.0介面来防止ESD事件对资料传输的干扰是绝对必要的。

2013-05-09

USB 3.0 ESD防护 ESD

IGBT因其电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点被广泛用于变频器的逆变电路中,但随着电力电子制造技术的发展，IGCT及IEGT等新型全控型器件的应用范围正在扩大，本文将针对IGCT、IEGT与IGBT在轻型直流输电领域的应用进行对比。

2013-05-08

晶体管 IGBT 变频器

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