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中科院研制出可提升中国国产IC的竞争力的MOSFET组件
中科院电子研究所在N型和P型 MOS 电容上取得了 EOT≦8.5 、漏电流降低3个数量级以及金属闸主动功函数距硅晶能隙距离≦0.2eV的成果，成功研发出组件性能进一步提升的22nm MOSFET 组件。
2012-12-28
中科院 MOSFET组件 22奈米
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东芝发布2000万像素背照式CMOS图像传感器
东芝今天宣布，将推出像素值高达2000万的新款CMOS图像传感器“TCM5115CL”，创下1/2.3英寸光学格式的分辨率新纪录，并且还使用了背照式技术（BSI）来改进敏感度和成像质量。
2012-12-28
东芝 CMOS 传感器
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苹果获Micro SIM连接器专利 延续标准大战
据Patentlyapple网站报道，苹果Micro SIM(微型SIM卡)专利昨日获得正式批准。此项专利能帮助用户更方便地拔插SIM卡，在用户插入不当时也可以保证设备不会受损，同时提供了可靠的机械性能。
2012-12-28
微型SIM卡 苹果
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看似平常，却不可或缺的片状独石陶瓷电容器
对于电阻器、电容器、电感器这些被公认为较平常的无源部件，实际上却是最尖端电子设备不可或缺的部分。尤其对最尖端的半导体器件而言，片状独石陶瓷电容器更是极为重要的。可以说，没有片状独石陶瓷电容器的话，就无法正常地运作。在电子行业曾一度有观点认为“电容器迟早会被半导体器件所取代”。而...
2012-12-28
陶瓷电容器 电阻器 无源 半导体
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兼具高性能、易用性和低成本优势的CoolMOS P6横空出世
CoolMOS CP在好几年前就达到了业界的极致性能，转换效率高达96%以上，而市场上同类产品的转换效率直到去年也才达到86%。然而，超高性能的极致产品不一定是市场需要的主流产品，极致性能背后的代价是电路板布局布线EMC的严苛要求和整机研发时间的延长。英飞凌全球应用市场总监Thomas Schmidt说：“产...
2012-12-27
CoolMOS CoolMOS P6 英飞凌
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抑制脉冲群干扰的主要途径和防护措施
脉冲群干扰设备的主要有三条途径：干扰直接以传导方式进入设备的敏感电路；干扰以传导方式进入设备；脉冲群中的高频成 分从受干扰线路上逸出，在受干扰的线路周围形成一个辐射电磁场，影响同一设备上没有直接做试验的线路，通过这些线路把干扰引 进入设备内部的敏感线路。
2012-12-27
脉冲群
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单片机作为主要控制部件的数控DC电流源系统
本设计采用单片机作为主要控制部件，通过键盘预置输出电流值并采用液晶模块实时显示。整个系统硬件部分由微控制器模块、电压-电流转换模块、键盘模块、显示模块、直流稳压电源模块和语音提示模块组成。系统结构框图如图1所示。
2012-12-27
单片机 数控 DC电流源系统
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