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4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET导通电阻创纪录
Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N沟道功率MOSFET器件,新器件实现了非常高密度的设计,而没有明显增加栅极电荷,在10V电压下实现了1.0mΩ的极低导通电阻,4.5V下1.35mΩ的导通电阻达到业内最佳水准。
2012-05-09
TrenchFET MOSFET SiRA00DP 导通电阻 Vishay
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日本碍子推出可使LED发光效率提高1倍的GaN晶圆
日本碍子近日开发出可将LED光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透明特性。日本碍子在其他研究机构的协助下,在开发出来的GaN晶圆上制造了LED元件,并进行了发光性能试验,结果表明,该LED...
2012-05-09
LED GaN晶圆
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美商传威针对智能手机推出USB、HDMI和DisplayPor集成解决方案HDmobile
美商传威近日推出的HDmobile™收发器IC为智能手机和平板电脑提供了一个单通路解决方案,减少芯片对宝贵空间的占用,並同时提供超高速数据和视频传输能力。HDmobile IC整合了USB、HDMI和DisplayPort接口,用一根电缆即可提供超高速数据连接和高清视频传输功能。HDmobile用世界一流的集成技术将行业领...
2012-05-09
美商传威 TranSwitch HDmobile USB HDMI DisplayPor
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SSD与eMMC齐发力 闪存控制器突破10亿美元关
据IHS iSuppli公司的存储市场简报,部分缘于固态硬盘(SSD)销售不断增长,去年全球闪存控制器集成电路(IC)市场首次超过10亿美元。2011年闪存控制器IC市场的营业收入达到11亿美元,比2010年的8.085亿美元大增39%。闪存控制器对于开发高质量存储器件非常关键。
2012-05-09
闪存 闪存控制器 闪存控制器市场
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LED应用市场投资升温 2012高工LED展推创新大奖
近日,高工LED产业研究所(GLII)发布的一季度国内LED投资报告显示,今年一季度国内LED产业投资总额创出自2010年以来的新低,相比2010年一季度缩水492亿元。从细分领域来看,LED照明应用领域成为投资主流,从投资规模来看,占到整体投资额的49%。
2012-05-08
高工 LED展
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全差分放大器驱动18位ADC功耗仅为5mW
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低功率全差分放大器 LTC6362,该器件能仅以 1mA 的电源电流驱动高精准的 16 位和 18 位 SAR ADC。LTC6362 具 200uV 最大输入失调电压和 3.9nV/√Hz 输入参考噪声,非常适用于精准的工业和数据采集应用。
2012-05-08
Linear 全差分放大器 ADC
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Vishay发布4款新型D/CRCW e3厚膜片式电阻的工程设计包
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款通过AEC-Q200认证的D/CRCW e3厚膜片式电阻的新型工程设计套件。套件可帮助设计者选择最适合其应用的电阻,提供0402、0603、0805和1206外形尺寸及一系列的可选阻值,同时样片封装在卷带条并附有单独的标签。
2012-05-08
Vishay D/CRCW e3 厚膜片式电阻
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