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浅析MOS管击穿的原因及解决方案
MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化...
2012-03-29
MOS管 击穿 原因 解决方案
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降压式DC/DC转换器的MOSFET选择要点
同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路,但用户的使用条件经常与典型应用电路不同,要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。
2012-03-29
DC/DC MOSFET 降压式
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校园路灯的PLC控制系统设计方案
基于PLC 控制的学校路灯控制系统在灯具节能上把握了节能的新方向,采用分时分段控制,克服了隔灯点亮的光照不均匀、灯具寿命缩短、不能点亮灯和电能的浪费等问题。该系统可通过PLC 编程来改变控制方案,适用于有不同时差的地区,是路灯节能的发展趋势。
2012-03-29
F940GOT 触摸屏 传感器 检验电路
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解析数字电视及其测量
本文在介绍数字电视基本概念和背景的前提下,介绍了数字电视测试的主要参数和主要仪器,并介绍数字电视测试行业的发展状况。
2012-03-29
数字电视 测量 电视
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只使用少量高压元件的主驱动零交越检测器
本设计中的电路可生成一个交流电源的零交越脉冲,并提供电气绝缘。输出脉冲的下降沿出现在零交越点前约200μs.使用这个电路可以安全地停止一个可控硅栅极的触发,使之有时间正常地关断。只有当主电压约为0V时,电路才产生短脉冲,因此在230V、50Hz输入下只耗电200mW.
2012-03-29
高压元件 检测器 LED电流 电源驱动
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650V:飞兆半导体IGBT提高功率转换应用的效率和系统可靠性
太阳能功率逆变器、不间断电源(UPS)以及焊接应用的设计人员面临提高能效,满足散热法规,同时减少元件数目的挑战。有鉴于此,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了一系列针对光伏逆变器应用的650V IGBT产品,帮助设计人员应对这一行业挑战。
2012-03-29
650V 飞兆半导体 IGBT
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Molex78727/646:Molex推出micro-SIM卡插座
全球领先的全套互连产品供应商Molex公司日前宣布推出两个专为超薄智能手机、平板电脑、GSM/UMTS调制解调器和PC卡等便携通信设备而开发的推挽式 (push-pull) 6路和8路micro-SIM卡插座系列。Molex78727系列插座的高度为1.40 mm,并带有检测开关;78646系列的高度则为1.45 mm,不带检测开关。
2012-03-29
Molex78727/646 Molex micro-SIM卡插座
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