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氮化镓取代碳化硅，从PI开始？
在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优...
2023-11-16
氮化镓 碳化硅 PI
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IEPE传感器与电荷输出传感器
在本文中，我们将查看可用于向 IEPE 传感器供电的典型电源装置的图表。我们还将了解 IEPE 型和电荷输出传感器的优点和局限性。
2023-11-16
IEPE传感器 电荷 传感器
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『这个知识不太冷』探索5G射频技术（下）
5G愿景的真正实现，还需要更多创新。网络基站和用户设备（例如：手机） 变得越来越纤薄和小巧，能耗也变得越来越低。为了适合小尺寸设备，许多射频应用所使用的印刷电路板（PCB）也在不断减小尺寸。因此，射频应用供应商必须开发新的封装技术，尽量减小射频组件的占位面积。再进一步，部分供应商开...
2023-11-16
5G 射频技术
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储能系统良性发展，离不开保护电路
本文将介绍在储能系统中常用的电子元器件技术特点，并以贸泽电子官网在售的保护器件为例，说明保护器件在储能系统中的重要性。
2023-11-16
充电桩 储能系统
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如何直观的理解波导中微波的模式（TE\TM\TEM）？
光的传播形态分类：根据传播方向上有无电场分量或磁场分量，可分为TE\TM\TEM三类，任何光都可以这三种波的合成形式表示出来。三者可以这样记忆：横电磁波就是电和磁都是横着的，横电波只有电场是横的，横磁波就只有磁场是横的。
2023-11-16
波导 微波 模式
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使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺
随着技术推进到1.5nm及更先进节点，后段器件集成将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小边缘定位误差，并实现具有挑战性的制造工艺，需要进行工艺调整。为应对这些挑战，我们尝试在1.5nm节点后段自对准图形化中使用半大马士革方法。我们在imec生产...
2023-11-16
半大马士革 后段器件
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森萨塔科技常旌：电动化、智能化发展浪潮下，传感器增量持续上涨
近日，森萨塔科技全球高级副总裁及亚太区总裁常旌先生接受了盖世汽车《C Talk》2023高端系列访谈。常旌先生就今年开局的车市价格战，智能化、电动化趋势下汽车传感器的演变，以及森萨塔科技未来业务布局等话题与盖世汽车CEO周晓莺展开深度对话。
2023-11-16
森萨塔 传感器
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