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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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是否所有的ESD保护二极管都有相同的保护效果？
本文针对目前所面临的找到一种具有成本效益的ESD解决方案的挑战，分析了ESD方面所需考虑的因素，提出了将电压箝位到更低水平的最优方案，接着并比较几种保护器件得出安森美的保护器件更具竞争性和优越性。
2008-10-23
ESD 保护二极管 箝位电压
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过压保护的备用电路: 技巧和窍门
过压保护(OVP)器件用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏，在某些特定的应用中，基本的过压保护电路不足以胜任器件保护的要求，通常有以下两种需求。第一，电路的最大输入电压可能增大；第二，适当修改电路，可以在发生过压或欠压时利用输出电容储能保持能量。本文讨论如何针对这两种需求修改...
2008-10-23
过压保护 电路 MOSFET
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印制电路板上的电磁干扰及抑制
本文主要讨论在印制电路板的布线设计中电源布线和信号布线的电磁干扰问题，并提出解决途径：抑制电源布线产生的干扰的主要方法有电源平面法、共地平面法和电源母线法；抑制信号布线产生的干扰的主要方法有增大信号线之间的距离，减小信号线与地之间的距离；同时，设计印制电路板还应遵循一定的抗干...
2008-10-23
印制电路板 电磁干扰 抑制
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静电在LED显示屏生产过程中的危害及防护措施
如何规范化生产，如何生产出真正意义上的低衰减、长寿命的 LED显示屏产品？本文仅从LED显示屏生产过程的静电防护角度，讨论该过程静电带来的危害及其防护方法。
2008-10-23
静电 LED 防护措施 危害
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抑制耳机放大器RF噪音的两种方法
本文主要讨论抑制耳机放大器RF噪音的方法，提出了两种方法：通过屏蔽并缩短输入信号引线降低输入放大器的RF能量；选择具有RF抑制功能的放大器，使耦合到输出端的噪声最小。并以GSM手机为例具体阐释了这两种方法的实现。
2008-10-23
抑制RF噪音 音频放大器 屏蔽
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电子信息产业出口受制 发展后劲面临考验
随着十月华尔街金融风暴的加剧，我国电子信息产业的出口经受严峻考验。工业和信息化部日前在第十届高交会上发布的《2008年Q3季度中国电子信息产业经济运行公报》显示，电子信息产业今年前三季度经济运行保持平稳发展，但延续了过往几个季度增速放缓的态势，经济运行增速始终低于全国工业平均水平，...
2008-10-22
电子信息产业 通讯 计算机 家用视听业
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