充分挖掘SiC FET的性能

性能是一个主观术语，它可以用许多你喜欢的方式衡量，但是在功率转换界，它归结为两个相互依赖的主要值，即效率和成本。现在，作为半导体开关材料，硅在导电和动态损耗性能方面已经到达了极限，这已经是一个常识了，因此越来越多的人考虑采用碳化硅和氮化镓宽带隙技术来实现更好的性能。这两种材料...

2022-03-10

SiC FET  性能

BMS电池管理系统SOC算法

随着电池性能的大幅提升，越来越多的应用使用电池包提供能量。在电池管理系统中，如何准确地估算电池的 SOC 是设计者需要考虑的重点与难点。

2022-03-10

BMS  电池管理系统  SOC算法

如何为卫星应用选择合适的LDO

耐辐射低压降稳压器 (LDO) 是许多航天级子系统（包括现场可编程门阵列 (FPGA)、数据转换器和模拟电路）的重要电源元件。LDO 有助于确保为性能取决于干净输入的元件提供稳定的低噪声和低纹波电源。

2022-03-10

卫星应用  LDO

通过更高的输出功率和H级控制打造身临其境的汽车音频体验

随着汽车油耗标准的不断提高（根据美国环境保护署的规定，2026年每加仑汽油的行驶里程需提升至40英里），汽车音响设计人员面临的挑战是如何提供身临其境的音频体验，同时减轻车辆重量并提高整体效率。

2022-03-10

输出功率  H级控制  汽车音频

扛鼎之作 CITE 2022顶配来袭

​数以亿万计的电子元件蓬勃产出，精细化零部件精准组装时刻进行，一条条机械手臂灵活运作，一件件电子产品走进千家万户……这是我国电子信息产业高质量发展新动能的缩影，也是我国产业规模世界第一的能力彰显。

2022-03-09

如何使用LTspice对复杂电路的统计容差分析进行建模

LTspice®可用于对复杂电路进行统计容差分析。本文介绍在LTspice中使用蒙特卡罗和高斯分布进行容差分析和最差情况分析的方法。为了证实该方法的有效性，我们在LTspice中对电压调节示例电路进行建模，通过内部基准电压和反馈电阻演示蒙特卡罗和高斯分布技术。然后，将得出的仿真结果与最差情况分析仿...

2022-03-09

LTspice  统计容差  建模

如何避免功率MOSFET发生寄生导通?

该文描述了引起功率MOSFET发生寄生导通的机制，并进一步指出为了避免寄生导通，在选取MOSFET时应遵循什么准则。

2022-03-09

功率MOSFET  寄生导通