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连接SPI接口器件 - 第二部分
单个时钟域SPI实现的思路与两个时钟域非常相似。这里为了便于演示没有使用PLL。同时，也不需要sync_stage模块。由于是单个时钟，需要clock_generator来生成dac_sck所需的时钟下降沿条件，dac_sck则用作状态机dac_fsm的触发条件。
2021-11-29
SPI接口器件
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连接SPI接口器件 - 第一部分
LEC2 Workbench系列技术博文主要关注莱迪思产品的应用开发问题。这些文章由莱迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA设计专家撰写。LEC2是专门针对莱迪思屡获殊荣的低功耗FPGA和解决方案集合的全球官方培训服务供应商。
2021-11-29
SPI接口器件
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MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素Rch的比例较高。
2021-11-29
MOSFET RDS
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移动设备的 ESD 设计战略：您的 SEED 工具
我们在第 1 部分介绍了 ESD 的基本概念以及系统高效 ESD 设计 (SEED)。本博客将为您介绍 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分将介绍如何将 SEED 方法及建模和模拟一起用于优化系统级手机设计。
2021-11-29
移动设备 ESD 设计战略
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做好准备：关于 ESD 和 RF 设备您需要了解什么
静电放电 (ESD) 现象从一开始就存在。我们第一次接触 ESD 往往是在孩童时代，在干燥的冬日触碰金属门把手时，会有种触电的感觉——这就是静电放电。这种短暂的不适感通常对人类来说不是问题，但是即使是少量的 ESD 也有可能会损毁敏感电路。
2021-11-29
ESD RF设备
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重负载时中开关元件工作相关的注意事项
在重负载时，如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间trr较长，且有电流残留，则在超前臂的MOSFET关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容CDS的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时。
2021-11-29
重负载 开关元件 注意事项
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IGBT的电流是如何定义的
IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。
2021-11-29
IGBT 输出电流 定义
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