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如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。
2022-06-15
SiC MOSFET 门极电压
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性能出众的1200V第四代SiC FET为高压市场提供了优秀的SiC功率解决方案
UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（采用开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。这些新发布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高压市场 解决方案
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适合工业应用的鲁棒SPI/I2C通信
对于控制器和外设之间的短距离电路板内连接，串行外设接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事实上的通信标准。由于存在广泛的硬件和软件支持，SPI和I2C已被传感器、执行器和数据转换器制造商广泛采用。当控制器和外设位于同一电路板上、共享同一接地层且相距不远（不大于1米）时...
2022-06-14
工业应用 SPI ADI
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新推出的同步SAR模数转换器的片内校准优势
本文评估在电阻模数转换器(ADC)前面的外部电阻的影响。这些系列的同步采样ADC包括一个高输入阻抗电阻可编程增益放大器(PGA)，用于驱动ADC和缩放输入信号，允许直接连接传感器。但是，有几个原因导致在设计期间，我们最终会在模拟输入前面增加外部电阻。以下部分从理论上解释预期的增益误差，该误差...
2022-06-14
SAR 模数转换器 ADI
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手机无线充电器坏了
对于手边的一款外部引线断裂的苹果手机无线充电器进行拆卸，观察其内部电路工艺设计。但是由于电路上主要芯片型号文字显示不清，故此对于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手机 无线充电器
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电解电容
在博文 基于光耦的LED振荡电路[1] 介绍了一款基于光耦的多谐振荡电路，对于光耦前向耦合电流增益的特性进行了讨论。博文分别被公众号 TSINGHUAZHUOQING[2] 与 电子工程专辑[3] 转载。
2022-06-14
电解电容 光耦 振荡电路
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“创新强链，双驱发展”2022年中国（深圳）集成电路峰会
由深圳市人民政府联合中国半导体行业协会集成电路设计分会、“核高基”国家科技重大专项总体专家组共同举办的以“创新强链，双驱发展”为主题的“2022 中国（深圳）集成电路峰会”（以下简称：ICS2022 峰会），将于2022年6月30日至7月1日在深圳坪山格兰云天国际酒店隆重举行。
2022-06-13
中国（深圳）集成电路峰会
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