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意法半导体、Soitec、CMP联合提供28纳米FD-SOI CMOS制程

意法半导体、 Soitec与CMP携手为大学院校、研究实验室和工业企业设计下一代系统级芯片并提供工程流片服务，可通过CMP的硅中介服务使用意法半导体的CMOS 28纳米全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）制程进行工程流片。

2012-10-24

意法半导体 Soitec CMP 28纳米 CMOS 制程

完美结合耐用性、频率范围与宽带能力射频功率晶体管

为了满足市场对射频功率器件增强耐用性和在广泛的频率范围进行宽带运行的需求，飞思卡尔半导体公司推出了两款功能丰富的器件，旨在为采用LDMOS处理技术制造的射频功率产品提供新级别的线性和耐用性。

2012-10-23

射频飞思卡尔晶体管

完美结合耐用性、频率范围与宽带能力射频功率晶体管

2012-10-23

射频飞思卡尔晶体管

2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET

恩智浦半导体推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN （分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。

2012-10-23

NXP MOSFET 智能手机

适用于空间紧凑的高速接口ESD保护产品

恩智浦电路保护产品组合同时具备超低电容和超低钳位电压特性，是保护eSATA、Thunderbolt、USB 3.0/2.0和Ethernet等高速信号线的理想之选，采用这些超紧凑型封装后，特别适合智能手机、播放器、平板电脑和电子阅读器等空间紧凑型应用。

2012-10-23

ESD NXP Thunderbolt USB 3.0

4款领先的电流并联监测器产品

德州仪器推出4款业界领先器件，进一步壮大电流并联监测器产品阵营，对各种终端设备进行了优化，从智能手机、平板电脑、计算机与服务器到电源管理产品、电池充电器乃至工业、电信以及测量设备。

2012-10-23

TI 电流并联监测器

4款领先的电流并联监测器产品

2012-10-23

TI 电流并联监测器

TI推出降低散热达30℃的新降压升压转换器

最新 4G 手机具有更高的数据上载需求，要求对各种应用程序实现“实时”开启或关闭，这需要更高的射频功率放大器输出水平，使LTE即便在较低的电池电压下也能工作。TI推出新降压升压转换器，将流耗锐降50%并降低放大器散热达30摄氏度。

2012-10-23

TI 降压升压转换器 4G手机

泰科电子的表面贴装2410SFV系列保险丝

泰科电子推出其2410SFV系列20款交流/直流（AC/DC）保险丝产品，在一系列多样化的高电压和高电流的设计中，可以提供次级电路保护、节省电路板的空间和减少设计成本等优点。

2012-10-23

泰科电子 TE 表面贴装 2410SFV 保险丝

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