能源电力-技术中心-电子技术应用频道-电子元件技术网

能源电力

电路设计中的抗干扰措施

单片机测控系统的电路较复杂，产生干扰的原因很多。下面几种常用的抗干扰措施。

2012-02-14

电路设计抗干扰电源大功率器件

电路设计中三极管和mos管的区别

我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。

2012-02-14

电路设计三极管 mos管双极晶体管

PCB焊接工艺使用氮气的理由

焊接的一个行进中的问题是在回流焊接炉中使用氮气的好处。在这个主题上我遇到的问题至少每周一次。这个问题不是什么新问题。十年前，所订购的回流焊接炉至少一半规定有氮气容器。最近与回流焊接炉制造商的交谈告诉我，这个比例保持还是一样的，尽管使用氮气的关键理由现在再不是什么站得住脚的理由...

2012-02-14

PCB 焊接工艺氮气氟里昂

第五讲：专家解答电路保护设计的常见问题

本文整理工程师在电路保护设计中经常遇到的一些问题，精选出关于保险丝、防雷器件和ESD保护器件的选型及应用的问题，由资深电路保护设计专家给予专业权威的解答，旨在帮助工程师正确选择和使用电路保护器件，设计高可靠性的电路保护解决方案。

2012-02-13

电路保护保险丝熔断器防雷 ESD

HOMSEMI中低压MOSFET全面升级8英寸0.18μm Trench工艺

2011年12月，广州成启半导体有限公司宣布，HOMSEMI中低压MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工艺晶圆。成启半导体表示，这次产品升级已经过一年准备和试产，将使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整机效率，同时获得更好的成本控制能力，这意味着，HOMSEMI成为国内一线分...

2012-02-13

HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET

晶闸管在高压软起动中的选型及应用

晶闸管电机软起动器的出现，弥补了传统软起动器的各种不足，很好地降低了电机的起动电流，降低了配电容量，延长了电机及相关设备的使用寿命。起动参数可视负载调整，易于维护。本文介绍晶闸管电机软起动器工作原理，晶闸管的选型及晶闸管的保护设计。

2012-02-13

晶闸管电机软起动过压过流

线性稳压器的短路保护电路设计

一个高可靠性的线性稳压器通常需要有限流保护电路，以防止因负载短路或者过载对稳压器造成永久性的损坏。在限流型保护电路的基础上，设计改进了一个短路保护电路，确保短路情况下，关断功率MOS管。本文分别定性和定量地分析了这种短路保护电路的工作过程和原理，同时给出基于TSMCO．18μm CMOS工艺的...

2012-02-13

线性稳压器限流保护电路短路保护短路保护电路

集成电路对EMI控制的影响

在考虑EMI控制时，设计工程师及PCB板级设计工程师首先应该考虑IC芯片的选择。集成电路的某些特征如封装类型、偏置电压和芯片的：工艺技术(例如CMoS、ECI、刀1)等都对电磁干扰有很大的影响。下面将着重探讨IC对EMI控制的影响。

2012-02-13

集成电路 IC EMI 电磁干扰

铅蓄电池再遭严打锂电池受益直接出位

去年由于血铅等各种污染问题严重，整个铅蓄电池行业迎来一场较大的整顿风暴，整个行业中众多企业在行业整顿中纷纷落马，市场对于锂电池的关注度瞬间上升，业内极为看好锂电池等新能源电池的发展前景，但是由于种种优势因素的存在，行业集中度进一步提供之后，为仅存的大型铅蓄电池提供了更佳的竞争...

2012-02-13

铅蓄电池锂电池锂离子电池环保

首页上一页 536 537 538 539 540 541 542 543 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

电路设计中的抗干扰措施

电路设计中三极管和mos管的区别

PCB焊接工艺使用氮气的理由

第五讲：专家解答电路保护设计的常见问题

HOMSEMI中低压MOSFET全面升级8英寸0.18μm Trench工艺

晶闸管在高压软起动中的选型及应用

线性稳压器的短路保护电路设计

集成电路对EMI控制的影响

铅蓄电池再遭严打 锂电池受益直接出位

友情链接(QQ：317243736)

铅蓄电池再遭严打锂电池受益直接出位