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2010年美国小型半导体公司恐掀被并潮
据路透(Reuters)报导,由于整体经济疲弱,半导体厂商要靠自家的力量达到营收成长,相对难度较高,因此购并在利基型市场上有独到技术的小型厂商,将是2010年的趋势,而这些小型的半导体厂商恐怕也会掀起被购并潮。
2010-01-28
美国 小型半导体 被并潮
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变频器未来发展凸现六种特性
变频器是运动控制系统中的功率变换器。当今的运动控制系统是包含多种学科的技术领域,总的发展趋势是:驱动的交流化,功率变换器的高频化,控制的数字化、智能化和网络化。因此,变频器作为系统的重要功率变换部件,提供可控的高性能变压变频的交流电源而得到迅猛发展。
2010-01-28
变频器 未来发展 凸现 特性
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山西首批大型并网太阳能发电项目开工
山西首批大型并网太阳能发电项目——山西国际电力集团右玉小五台一期10MW、平鲁阻虎一期5MW太阳能发电项目正式开工。
2010-01-28
山西 大型并网 太阳能 发电项目
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LED死灯原因分析探讨
我们经常会碰到LED不亮的情况,封装企业、应用企业以及使用的单位和个人,都有可能碰到,这就是行业内的人说的死灯现象。本文重点分析LED死灯原因和防护。
2010-01-28
LED 死灯原因 静电
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增三种更大的外形尺寸
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三种更大的外形尺寸,接线柱的长度为13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 电容器 RoHS指令 UPS设备
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
2010-01-27
Vishay MOSFET FET®技术
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罐式电容式电压互感器研制成功
国网电科院研制的罐式结构特高压电容式电压互感器。其短时工频耐受电压达到1100kV/5min、雷电冲击耐受电压达到2400kV、操作冲击耐受电压达到1800kV,二次绕组准确级达到0.2/0.5/0.5(3P)/3P。
2010-01-27
罐式电容式 电压互感器 研制成功
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江门建LED产业基地 2015年产值或达500亿
昨天在江门市召开的2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣贯大会上,江门市常务副市长吴紫骊宣布,江门市将大力发展LED产业,到2015年实现500亿元产业规模,建设中国重要的LED产业基地。
2010-01-27
江门 LED产业 基地 产值
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韩半导体产业宣告全面复苏
韩国半导体产业的两大支柱,三星电子和海力士去年第四季度均创造有史以来最高销售业绩,而且销售利润都超过了20%。
2010-01-27
韩国 半导体产业 全面复苏
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