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能源电力

试验设计的五个步骤

无论是在工程技术、质量管理、产品研发等方面，还是在近来热门的六西格玛领域，试验设计DOE都是我们解决问题的好帮手，其应用可以说涵盖了包括机械、电子、化工、汽车、烟草、医药、食品、银行、电信、物流等所有的行业。本文主要介绍试验设计的五个步骤。

2010-01-08

试验设计 KPI指标六西格玛

夏普与意法半导体合资生产太阳能电池

夏普计划借此扩展清洁能源业务，降低生产成本。夏普和意大利公用事业公司Enel曾在2008年宣布，打算与一家欧洲制造商合作生产薄膜太阳能电池，但未指明是哪家公司。

2010-01-07

夏普意法半导体合资太阳能电池

OmniVision Technologies推出14.6百万像素图像传感器

领先的高级数字成像解决方案开发商OmniVision Technologies, Inc.今天推出了14.6百万像素图像传感器，能够提供高分辨率的静止摄影和在每秒60帧完整的1080p高清晰度的动态影像。最新用于数码相机/摄像机(DSC/DVC)的全新OV14810和用于移动应用OV14825皆是第一个传感器实现为主流的消费电子产品提供最...

2010-01-07

OmniVision 图像传感器 OV14810

电阻市场发展前景向好 2010年需求强劲

业内厂家认为，2010年电阻市场发展前景向好，需求强劲，预计2010年电阻市场空间仍将不断扩大，年增长速度将保持在20%左右。

2010-01-07

电阻电子设备元器件 3G 高清市场

PMAS/PCMAS100:Mtm power推出宽输入范围的紧凑型电源

初级开关的PMAS/PCMAS100紧凑型模块具有通用ac/dc输入范围，适合各种需要中功率的电源应用。器件提供100W恒定输出功率，采用24V，36V和48V输出电压

2010-01-07

PMAS PCMAS100 Mtm power 电源

缺少热分析将使设计心血面临危险

“简单解决方案”是指在设计周期中尽早实施热分析。多早合适呢？最晚应在结构图设计阶段后立即就进行基本热分析。工程师需下载拟采用器件的数据手册并从热的角度体验一下未来将遇到的挑战。本文主要介绍各种热设计

2010-01-07

热分析热管散热片

第七讲示波器基础之差分探头

本文主要讲差分测量的特点、差分探头的应用环境及解决方案

2010-01-07

示波器探头差分基础

SiB455EDK：Vishay 推出新款12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新产品，使用了自对准工艺技术，在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，将业内最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了一半。

2010-01-06

SiB455EDK Vishay P沟道第三代 TrenchFET 功率MOSFET

LQH88P_38系列：Murata推出支持高达8A额定电流的功率电感

Murata推出LQH88P_38系列功率电感，支持高达8A额定电流。这些电感尺寸为8x8mm(3131尺寸)，低高度仅为3.8mm（典型值），是专为DC-DC转换器设计，用于平面TV，机顶盒，记录装置，无线基站和其它电子消费产品应用。

2010-01-06

LQH88P Murata 额定电流功率电感

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