你的位置:首页 > 电源管理 > 正文

氮化镓已为数字电源控制做好准备

发布时间:2021-01-15 责任编辑:wenwei

【导读】术语“准备就绪”竟然有如此多不同的含义,真是有趣。若您儿孙满堂,“准备就绪”是指您需要轮流做许多准备;我们不会离开30分钟。在飞机上,“准备就绪”意味着收起您的手机;这样,飞机最终才能安全起飞。
 
我们已听到我们的行业代言人宣布,“GaN将迎来黄金发展时间。”这一公告似乎在暗示,GaN已准备好出现在广大听众、用户或为数众多的应用面前。这也表明,GaN技术已经如此成熟,不能认为它是一个有问题的技术。我会让您自己决定哪些东西是正确的。
 
因此,当我说“GaN已为数字电源控制做好准备”时,您懂我的意思吗?测试GaN的一种方法是查看采用GaN的电源的开发过程。多数情况下,电源设计人员使用数字控制来演示GaN应用。这可能是因为数字化控制的灵活性较好,能够让设计人员精确控制开关波形。也可能是数字控制可以提供克服任意GaN缺点的多个控制回路和保护电路。
 
我认为,“GaN已为数字电源控制做好准备”的含义比我上述提到的更丰富,但它也意味着数字控制也做好准备迎接GaN。对于做好准备迎接GaN的数字电源控制来讲,它需要时间基分辨率、采样分辨率和计算马力用于更高的开关频率、更窄的占空比和精确的死区时间控制。图1和2所示为硅(Si)MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降时间。图中数字显示死区时间存在两倍的差异,硅 MOSFET速度更慢。此外,GaN MOSFET的上升和下降更加线性。这些属性使得更精细的边缘控制非常可取。
 
GaN可在无需支付后续费用的情况下增大开关频率。利用这一优点,可以在功率级中缩小无源元件尺寸,并加快瞬变响应速度。但是,要对这些较高频率进行所需的控制,控制电路速度必须更快。例如,采样和转换时间需要足够快,才不会限制占空比宽度或相位延迟。此外,接下来针对控制工作的计算需要足够快,以不限制开关速度。对于如今频率大于1MHz的开关电源,需要在少数100ns中完成采样和转换。计算延迟也必须处于这一范围。
 
幸运的是,多年来,我们生产的数字电源控制器一直具备这一能力。并非所有数字电源控制器都能满足这些需求,但是至少电源设计人员有选择权。
 
因此,GaN为数字电源控制做好准备了吗?我们得到的答案更多是数字电源控制已准备好迎接GaN。因此,随着GaN继续开发,并应用于高密度和高性能电源解决方案,我们不必等待开发控制器时要借助GaN带给行业的优势。因此,这就是“准备就绪”的含义:它是指“现在就开始”。
 
您对这个问题有什么看法呢?
 
氮化镓已为数字电源控制做好准备
图1:谐振LLC硅MOSFET死区时间
 
氮化镓已为数字电源控制做好准备
图2:LLC GaN MOSFET死区时间
 
 
免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行处理。
 
推荐阅读:
 
预想一下高压氮化镓的未来
用集成驱动器优化氮化镓性能
以数字方式选择参考电压
直流/直流转换器数据表——系统效率揭秘
在轻度混合动力汽车中利用功率模块和宽禁带实现双电池管理
要采购开关么,点这里了解一下价格!
特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭