电源管理-技术中心-电子元件技术网

电源管理

数字控制让双向电源转换易如反掌

传统的电源都是采用模拟方式控制，而近些年出现的数字电源则是以数字信号处理器（DSP）或微控制器（MCU）为控制核心来实现控制、管理和监测功能的电源产品。

2023-02-08

数字控制双向电源

如何手动计算IGBT的损耗

现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及，大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成，节省了不少精力，不得不说这对工程师来说是一种解放，但是这些工具就像黑盒子，好学的小伙伴总想知道工作机理。其实基础都是大家学过的基本高等数学知识。今天作者就帮大家打开这个黑盒子，详细介绍一下IGBT损耗计...

2023-02-07

IGBT 损耗

如何给核心板的底板设计电源？

在选型某一款核心板后，硬件工程师将会针对自己的产品应用设计底板，除了外设的功能电路外，底板电源设计也是一款产品好坏的关键。结合ZLG致远电子的核心板产品，本文将对底板的电源设计提供一些方法及参考。

2023-02-07

核心板底板电源

满足严格效率和性能规格且尺寸要小的电源，需要搭配什么样的控制器？

高性能通信、服务器和计算系统中的ASIC、FPGA和处理器需要使用能直接从12 V或中间总线生成1.0 V（或更低）电压的核心电源——最大负载电流有时候可能高于200 A。这些电源必须满足严格的效率和性能规格，且通常具备相对较小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相双输出降压控制器为这些电源提供高性能的灵...

2023-02-06

电源控制器

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。其中一个主要原因是与以前的功率半导体相比，SiC MOSFET 使得高速开关动作成为可能。但是，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，器件的封装电感和周边电...

2023-02-06

碳化硅 MOSFET 尖峰

瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM发力智能物联时代增量市场

存储器是现代信息系统最关键的组件之一，在当前物联网与人工智能联合推动下的数据爆发时代，存储器行业的“加速键”随之开启。据YOLE统计，自2019年以来，存储器成为半导体增速最快的细分行业，总体市场空间从2019年的1110亿美元将增长至2025年的1850亿美元。细分市场中，以FeRAM（铁电存储）和ReRAM...

2023-02-06

智能制造新能源汽车 FeRAM

碳化硅如何革新电气化趋势

在相当长的一段时间内，硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料，它能减轻对硅的依赖。SiC 是宽禁带 (WBG) 半导体：将电子激发到导带所需的能量更高，并且这种宽禁带具备优于标准硅基器件的多种优势。

2023-02-03

碳化硅电气化趋势

稳定性更强的新型无钴锂离子电池正极

目前我们的手机、笔记本电脑和电动汽车的电池都有一个主要缺点：它们都依赖于钴。钴是一种很难找到的金属，主要来自非洲的矿山，钴的采集对于当地环境和矿工来说都存在着不少问题。

2023-02-03

无钴锂离子电池正极

如何设计适用于高级电动汽车电池管理系统的智能电池接线盒

随着电动汽车 (EV) 日益流行，如何在反映真实续航里程的同时让汽车更加经济实惠，成为汽车制造商面临的挑战之一。首先，这意味着需要降低电池包成本并提高其能量密度。电芯中存储和消耗的每瓦时能量都对延长续航里程至关重要。

2023-02-03

电动汽车电池管理系统电池接线盒

首页上一页 85 86 87 88 89 90 91 92 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

数字控制让双向电源转换易如反掌

如何手动计算IGBT的损耗

如何给核心板的底板设计电源？

满足严格效率和性能规格且尺寸要小的电源，需要搭配什么样的控制器？

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM发力智能物联时代增量市场

碳化硅如何革新电气化趋势

稳定性更强的新型无钴锂离子电池正极

如何设计适用于高级电动汽车电池管理系统的智能电池接线盒

友情链接(QQ：317243736)