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优化汽车应用的驾驶循环仿真
碳化硅(SiC)已经改变了许多行业的电力传输,尤其是电动汽车(EV)充电和车载功率转换部分。由于 SiC 具备卓越的热特性、低损耗和高功率密度,因此相对 Si 与 IGBT 等更传统的技术,具有更高的效率和可靠性。要想获得最大的系统效率并且准确的预测性能,必须仿真这些由 SiC 组成的拓扑、系统和应用。
2023-01-28
汽车应用 功率模块 仿真
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SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗?
众所周知,“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代,英飞凌的沟槽型IGBT(例如TRENCHSTOP系列)和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代,市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞,而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”,就不会干别的了吗?非也。因为SiC材料独有的特性,SiC ...
2023-01-27
SiC MOSFET 沟槽栅
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简化隔离式软件可配置I/O通道设计的高集成度、系统级方法
本文介绍一种软件可配置输入/输出(I/O)器件及其专用隔离电源和数据解决方案,该解决方案有助于应对系统级工业应用的设计挑战。本文阐述了在设计单个IC时从系统级角度进行思考的优势,并重点讨论了建议解决方案的功耗优化功能。
2023-01-27
I/O 隔离电源 ADI
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MCU解决800V电动汽车牵引逆变器的常见设计挑战的3种方式
电动汽车 (EV) 牵引逆变器是电动汽车的核心。它将高压电池的直流电转换为多相(通常为三相)交流电以驱动牵引电机,并控制制动产生的能量再生。电动汽车电子产品正在从 400V 转向 800V 架构,这有望实现:
2023-01-20
MCU 电动汽车 牵引逆变器
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SIMO PMIC:为可穿戴设备电源设计打开方便之窗!
我们生活在一个被电子设备包裹的时代,这些设备使我们的学习、工作、锻炼、旅行和交流等变得非常方便,尤其是可穿戴设备正在成为人们日常生活中不可或缺的一部分。在医疗应用中,可穿戴设备可用于监测心率、血压、血氧水平、运动中燃烧的卡路里、睡眠跟踪等。为了提供更好的用户体验,高性能、小尺...
2023-01-20
SIMO PMIC 可穿戴设备 电源设计
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使用RX单片机实现数字电源控制的示例
作为使用RX单片机进行逆变器控制的应用,以UPS为例对基于MCU的电源控制可行性进行介绍。RX-T系列主要应用于空调室外机和工业逆变器,在逆变器控制领域享有盛誉。近年来,还广泛用于UPS、太阳能逆变器和EV充电器等电源控制应用中。本次以UPS电源控制应用为例,对基于MCU实现的电源控制进行介绍。UPS...
2023-01-19
RX单片机 数字电源控制
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垂直供电助力尖端数据处理
随着先进工艺节点的出现,高性能人工智能 (AI) 处理器的功率不断上升,内核电压则在不断下降。这些发展给电源系统设计人员带来很大挑战,例如需要管理因为供电网络 (PDN) 阻抗压降不断上升的而引起大电流低电压处理器电源引脚间的电压梯度、瞬态性能规格以及功耗等难题。
2023-01-19
PDN 数据处理 AI
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瞬态事件如何影响LDO的动态性能?
有两种瞬态响应。首先,负载瞬态响应是当低压降稳压器(LDO)提供的负载电流发生变化时,在LDO输出端出现过冲或下冲。第二,线路瞬态响应是当连接的电压在LDO输入端发生变化时,在LDO输出端发生过冲或下冲,具有不同的波形。
2023-01-17
瞬态事件 LDO 动态性能
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低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术,满足光伏应用的需求
本文介绍了新型950V IGBT和二极管技术。950V IGBT结构基于微沟槽理念,与典型1200V技术相比,新型950V IGBT和二极管的静态损耗和/或开关损耗显著降低。通过分析应用需求与功率模块设计的相互作用,本文确定了功率模块的应用结果和优化路径。得益于经优化的功率模块设计和采用950V技术,近期推出的无...
2023-01-16
ANPC拓扑结构 二极管 光伏
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