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满足Thunderbolt和USB 3.0应用的超低电容静电保护器
ESD保护器件在数据线上增加了电容,可能引起信号完整性问题,如今的高速端口需要电容最低的ESD器件,以在提供最高等级保护的同时对信号传输的影响最小。TE的SESD器件提供比竞争对手‘超低电容’方案低92%的电容值,为USB3.0/2.0、HDMI、eSATA、DisplayPort和Thunderbolt提供最低的插入损耗。
2012-05-18
静电保护器 SESD TE
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兼顾多国标准的光伏阵列保护熔断器选型分析
为及时隔离故障光伏串,也为避免局部异常接线形成的过流危害,在光伏阵列设置直流光伏保险丝非常重要。如何才能正确选择光伏保险丝呢?本文兼顾美国标准、 北美标准和我国标准带来详细的光伏阵列保护用熔断器的选择分析。
2012-05-18
保护熔断器 光伏阵列 熔断器
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君耀强效放电管选型指南
SPG强效应玻璃放电管是一种靠内部微间隙放电的一种保护器件,在电极微间隙之间充有稳定的惰性气体,并采用玻璃壳和杜镁丝头在高温下烧结密封而形成的。
2012-05-18
君耀 强效 放电管
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安森美双向过压过流保护器件NCP370应用指南
NCP370是安森美半导体(0N Semiconductor)公司生产的具有过压、过流保护及反向控制功能的集成双向保护器件。该器件可以提供高达+28V的正向保护和低至-28 V的负向保护功能,从而提高对便携设备前端的保护。NCP370采用了创新架构,可在器件内部为连接在底部连接器并以锂离子电池供电的外部附件提供OCP...
2012-05-18
安森美 过压 过流 保护器件 NCP370
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大功率电压型逆变器新型组合式IGBT过流保护方案
随着电力电子器件制造技术的发展,高性能、大容量的绝缘栅双极晶体管(IGBT)因其具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低及工作频率高等特点,而越来越多地应用到工作频率为几十kHz以下,输出功率从几kW到几百kW的各类电力变换装置中。IGBT逆变器中最重要的环节就是高性能的过流保护电...
2012-05-17
逆变器 IGBT 过流保护
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以太网端口保护的智能化方案
除了合适的器件爬电距离和电气走线间隙之外,良好的以太网端口设计实践还需要过压和过流保护器件。算出印制电路板(PCB)的爬电距离和电气间隙之后,我们必须为以太网I/O连接的两端都选择保护器件,即线路(RJ-45)侧和驱动器(物理层或PHY)侧。本文用以太网保护器件最常用的多通道瞬态电压抑制器(TVS)二...
2012-05-17
TVS 以太网端口保护 TVS二极管阵列
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常用四大类过压保护器件选型攻略
如何合理选择正确的过压保护器件?不同的过压保护器件其保护原理各有不同,选择的时候应结合其保护原理、工作条件和使用环境来考虑。本文介绍常用的几种过压保护器件ESD抑制器、压敏电阻、瞬态电压抑制器TVS、陶瓷气体放电管的选型技巧,帮助工程师正确选择电路保护器件。
2012-05-17
过压保护 ESD抑制器 TVS 压敏电阻
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满足Thunderbolt应用的TE电路保护创新器件解读
随着电子产品外形不断向轻、小、薄发展,对电路保护器件的性能以及体积也要求越来越严格。TE电路保护部的硅静电放电保护器件与新型RTP器件能有效地应对当前挑战:能够满足如今的Thunderbolt应用,甚至适用于4K超高清(UHD)和1/4高清电视(QHD)等仍然处于兴起的市场。
2012-05-17
SESD TE电路保护器件 RTP140R060SD
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为多路电源提供反偏保护的过压保护器
系统设计人员需要采用优异的功能电路,更需要为大功率电子产品提供有效保护。本文介绍一种带有反偏保护的过压保护器,采用反向偏置电路保护多电源供电便携设备,其内部背靠背FET和低RON优势便于通过USB和/或无线充电坞站为便携设备充电,无需担心损坏设备。
2012-05-17
Maxim 过压保护 MAX14606 MAX14607
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