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为什么FeFET变得如此有趣？
随着芯片制造商寻找新的选择来维持驱动电流，铁电体正在接受认真的重新考虑。铁电材料可以提供非易失性存储器，填补 DRAM 和闪存之间的重要功能空白。事实上，用于存储器的铁电体和用于晶体管的 2D 沟道是最近 IEEE 电子设备会议的两个亮点。
2022-12-30
FeFET 铁电体 存储器
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TVS在汽车抛负载应用选型设计
TVS作为浪涌抑制器，其应用涉及到通信与电源回路的方方面面，因为太过普遍，很多应用都是参考或延用过往设计，只知其保护效果而不知其根源，本章通过对于抛负载TVS选型计算展开分析，为新项目设计提供思路，该计算方式同样适用于工业TVS选型应用。
2022-12-30
TVS 汽车抛负载 选型
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双栅结构 SiC FETs 在电路保护中的应用
据介绍，Qorvo 是一家专注于射频领域，在包括 5G、WiFi 和 UWB 等通信技术都有投入的公司。此外，Qorvo 在触控和电源等方面也有布局。如在 2021 年领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商 UnitedSiC 公司的收购，就扩展 Qorvo 在高功率应用方面的市场机会，这部分业务也被纳入了 Qorvo 的 IDP 部门。
2022-12-28
双栅结构 SiC FETs 电路保护
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扩大40年期电源电压范围，从<300uA到3A无电阻电流检测解决方案
测量系统中的电流是监测系统状态的一种基本而有效的工具。随着科技发展，电子或电气系统在性能提升的同时，物理尺寸大大缩小，并降低了功耗和成本。每个电子设备都在监测自己的健康和状态，而这些诊断提供了管理系统所需的重要信息，甚至决定了其未来的设计升级。
2022-12-28
电源电压 无电阻电流检测
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氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
松下与英飞凌曾共同研发了增强型GaN GIT功率器件，两家公司都具有GaN GIT功率器件的产品。对于其栅极驱动IC，如上期所介绍的，英飞凌对其GaN EiceDRIVER™ IC已布局有核心专利；而松下在这一技术方向下也是申请了不少专利，其中就包括采用RC电路的负压关断方案。
2022-12-22
氮化镓 栅极驱动 RC负偏压关断技术
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简述SiC MOSFET短路保护时间
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路时间不超过这个SCWT，器件基本上是安全的（超大电流导致的寄生晶闸管开通latch up除外，本篇不讨论）。
2022-12-22
SiC MOSFET 短路保护时间
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PCI－Express总线接口的布线规则
PCIE是一种典型的串行总线，本文是针对PCI-E接口的布线规则，这些规则是很多芯片厂商的设计指导，也是很多老工程师耳熟能详的金科玉律。
2022-12-21
PCI－Express 总线接口
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LC低通滤波器原理及设计方法
前面提到过RC滤波器那么自然而然就存在LC滤波器，在汽车的电子控制器中几乎每个控制器都会用到LC滤波器，特别是在电源输入的地方可以获得更好的EMI效果。
2022-12-21
LC低通滤波器
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Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据
加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止，基于超过850亿小时的现场应用数据，...
2022-12-20
Transphorm 功率管 可靠性评估
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