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爱普科斯(EPCOS)输出端过压保护参考设计
雷击产生的浪涌电压会对电子设备带来危害，EPCOS输出端过压保护参考设计ProShot 6000可保护家电免受电压浪涌致命影响。
2009-03-13
雷击 EPCOS 浪涌 电路保护 ProShot 6000 压敏电阻 气体放电管
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爱普科斯(EPCOS)输出端过压保护参考设计
雷击产生的浪涌电压会对电子设备带来危害，EPCOS输出端过压保护参考设计ProShot 6000可保护家电免受电压浪涌致命影响。
2009-03-13
雷击 EPCOS 浪涌 电路保护 ProShot 6000 压敏电阻 气体放电管
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中国电子展推出三大技术采购研讨会
中国电子展推出三大技术采购研讨会
2009-03-12
中国电子展推出三大技术采购研讨会
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中国电子展深圳举行 三大技术采购研讨会
中国电子展深圳举行 三大技术采购研讨会
2009-03-12
中国电子展深圳举行 三大技术采购研讨会
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中国电子展深圳举行 三大技术采购研讨会
中国电子展深圳举行 三大技术采购研讨会
2009-03-12
中国电子展深圳举行 三大技术采购研讨会
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飞利浦MASTER LED凭出色设计和耐用性再获两大奖
近日，飞利浦MASTER LED获得法国设计研究中心（Institute Francais du Design）及巴黎国际酒店及餐饮设备展（Equip''''''''Hotel Paris）荣誉。
2009-03-12
MASTER LED LED 飞利浦 照明
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USB 3.0测试标准将于09年6月底出台
新一代USB“USB 3.0”的兼容性测试标准有望于2009年上半年出台。参与测试标准制定的美国安捷伦科技（Agilent Technologies）表示，预定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。这是安捷伦公司的USB应用产品经理Jim Choate在09年3月6日于东京都内举行的研讨会“USB 3.0―SuperSpeed USB的冲击”上...
2009-03-12
USB 3.0 测试仪器
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 导通电阻 开关
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中国版WEEE出台：电器厂商成本上升5%
在欧盟《关于报废电子电器设备指令》(WEEE)全面实施近三年后，中国版WEEE出台。条例对制造商有很多保护措施，而金融危机的到来让该条例正式实施的时间推迟到2011年元旦。中国版的WEEE在多次征求意见和修改后对生产者采取了优惠的政策，但保留了“生产者负责制”。该法规有可能使电器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中国版WEEE WEEE 关于报废电子电器设备指令 废弃电器电子产品回收处理管理条例
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