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具备出色稳定性的CoolSiC MOSFET M1H
过去几年，实际应用条件下的阈值电压漂移（VGS(th)）一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象，并提出了工作栅极电压区域的建议，旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。
2022-06-21
稳定性 CoolSiC MOSFET
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安森美向前推进可持续发展
2022年6月17日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，发布其年度可持续发展报告，前称企业社会责任（CSR）报告。为了持续努力保持我们对投资者、客户、利益相关者和员工的透明度，该报告根据全球报告倡议组织（GRI）、气候相关的财务披露工作组（TCFD）和可持...
2022-06-20
安森美 可持续发展
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Digi-Key在2022年EDS领导力峰会上被供应商授予了25项大奖
全球供应品类丰富、发货快速的现货电子元器件分销商 Digi-Key Electronics 日前宣布在 5 月 10 日至 13 日于拉斯维加斯举行的 2022 EDS 领导力峰会上获得了供应商授予的 25 项大奖。这是对 Digi-Key 在过去一年中的销售业绩、客户服务、产品广度、数字存在等方面成绩的认可。
2022-06-20
Digi-Key EDS领导力峰会
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面对电磁辐射干扰，如何轻松进行电子线路设计布局？
电磁环境包含辐射和传导能量。EMC也包含辐射和敏感度两方面。辐射是指产品不必要地产生电磁能量。为了打造一种具备电磁兼容性的环境，通常需要控制辐射。敏感度是一种用于衡量电子产品容忍其他电磁产品的辐射，或传导电磁能量影响或其他电磁影响的能力指标。抗扰度与敏感度相反。敏感度高的设备抗扰...
2022-06-20
电磁干扰 电子线路 设计布局
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贸泽推出2022 Empowering Innovation Together系列第三期探索打造安全设计的重要性
2022年6月17日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布推出其备受好评的Empowering Innovation Together™计划的新一期内容。在“实现更高安全性的设计”这一期，贸泽探讨了在设计过程中的每个阶段融入安全性的重要性，从架构选择和组件挑...
2022-06-17
贸泽电子 安全设计
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凌华科技发布AES-100 边缘智能服务器
中国上海 – 2022年6月16日，全球领先的边缘计算解决方案提供商—凌华科技推出基于华为Ascend Atlas200的全新边缘智能服务器AES-100，突破固有服务器的设计理念，采用分布式AI节点加弹性灵活的处理器设计方案，可在紧凑的1U空间内布置多路边缘处理单元，也可以根据场景和需求不同搭配不同的CPU模块，...
2022-06-16
凌华科技 AES-100 服务器
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如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。
2022-06-15
SiC MOSFET 门极电压
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适合工业应用的鲁棒SPI/I2C通信
对于控制器和外设之间的短距离电路板内连接，串行外设接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事实上的通信标准。由于存在广泛的硬件和软件支持，SPI和I2C已被传感器、执行器和数据转换器制造商广泛采用。当控制器和外设位于同一电路板上、共享同一接地层且相距不远（不大于1米）时...
2022-06-14
工业应用 SPI ADI
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手机无线充电器坏了
对于手边的一款外部引线断裂的苹果手机无线充电器进行拆卸，观察其内部电路工艺设计。但是由于电路上主要芯片型号文字显示不清，故此对于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手机 无线充电器
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