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B82466G0/B82467G0/B82469G1*：EPCOS新电感器系列

爱普科斯(EPCOS)开发出紧凑的小型电感器，其高度仅为1.0毫米，占用面积仅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的电感范围介于0.5至22μH，饱和电流最高为1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分别为2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其饱和电流最高为3.0A。

2008-06-01

B82466G0* B82467G0* B82469G1* 电感器

宇阳控股0201超微型MLCC通过鉴定

宇阳控股近日宣布，其自主研发的0201超微型MLCC（片式多层陶瓷电容器）已成功通过国家科学技术部授权组织科学技术成果鉴定，标志着公司成为全国首家成功开发0201 MLCC的企业。

2008-05-30

宇阳 0201 MLCC

SiA***DJ：Vishay新型小型封装Siliconix功率MOSFET

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封装、厚度为 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

2008-05-28

SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET

MAX3622：Maxim网络设备用超低抖动两路输出时钟发生器

Maxim推出超低抖动、两路输出时钟发生器MAX3622。器件采用低噪声VCO和专有的PLL架构，从一个25MHz晶体谐振器产生2路0.14psRMS (典型值)的超低抖动时钟输出。

2008-05-27

MAX3622 时钟发生器

VBUS052BD-HT：Vishay新型双二极管总线端口保护阵列

日前，Vishay宣布推出新小型双二极管 ESD 保护阵列，旨在保护两个高速 USB 端口或最多两条其他高频信号线不受瞬态电压信号干扰。

2008-05-23

VBUS052BD-HTF 双二极管 ESD 保护阵列

STC03DE220HV：意法半导体用于三相电源的低功耗ESBT开关

意法半导体宣布推出STC03DE220HV ESBT（发射极开关双极晶体管）功率开关，新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效，降低产品的成本、组件数量和尺寸。

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 发射极开关双极晶体管

STC03DE220HV：意法半导体用于三相电源的低功耗ESBT开关

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 发射极开关双极晶体管

MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO复用三路DPDT开关

Maxim推出三路双刀双掷(DPDT)开关MAX4996/MAX4996L，可切换多路高达670MHz的高频信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为2.0Ω)、导通电容(典型值为6pF)和功耗(典型值为3µA)，从而能够实现高频切换。

2008-05-19

MAX4996 MAX4996L 三路双刀双掷(DPDT)开关

TJ3-HT：Vishay新型环形高温电感器

Vishay宣布推出新型环形高电流、高温电感器。该器件具有业内最高额定及饱和电流以及业内最低电感和DCR。

2008-05-16

TJ3-HT 高温电感器

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TJ3-HT：Vishay新型环形高温电感器

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