【导读】随着800V高压平台在电动汽车与工业储能领域加速渗透，传统硅基功率器件正面临开关损耗与散热设计的双重瓶颈。以碳化硅（SiC）MOSFET为代表的新型半导体，凭借10倍于IGBT的开关频率和85%的能效提升率，正推动工业充电器架构向高频化、集成化跃迁。本文深度解析SiC技术赋能的拓扑结构选型策略，揭晓如何在LLC谐振、图腾柱PFC等创新方案中精准匹配功率器件参数，实现系统成本与性能的黄金平衡点。
优化拓扑结构与元器件选型
电池供电工具和设备的便利性在很大程度上依赖于快速高效的充电。为此，电池充电解决方案的设计人员必须根据所需的功率水平和工作电压，精心选择最佳拓扑结构。此外，他们还必须选择能够精准满足应用性能要求的元器件。
安森美提供覆盖低压、中压及高压的全系列功率分立器件，包括适用于上述关键拓扑的硅基二极管、MOSFET和IGBT。依托先进的裸芯与封装技术，安森美功率器件以卓越品质和稳健性能满足各类设计需求。
此外，我们基于SiC的开关器件具备更快的开关速度和超低损耗特性，可显著提升功率密度。安森美 650 V M3S EliteSiC MOSFET（图 1）提供业界领先的开关性能，大幅提升 PFC 和 LLC 级的系统效率。
该器件针对 40 kHz 至 400 kHz 的高频应用进行了优化。EliteSiC M3S 技术相比其前代产品，栅极电荷减少了 50%，EOSS降低了 44%，输出电容中的存储电荷（QOSS）减少了 44%。这种出色的EOSS参数在PFC级应用于硬开关拓扑时，可显著提升轻载条件下的系统效率。同时，较低的 QOSS还简化了 LLC 级软开关拓扑的谐振腔电感设计。此外，M3S EliteSiC MOSFET在PFC和DC-DC模块高频运行时保持低温工作状态。
650 V M3S EliteSiC MOSFET 是 PFC 和 LLC 级的理想选择
安森美 650 V M3S EliteSiC MOSFET 产品系列
我们还提供基于 PLCES 的系统级 Elite Power 仿真工具，助力工程师根据不同的拓扑结构和功率水平优化元器件选型。该仿真工具不仅能协助选择适用于各种拓扑和功率水平的EliteSiC MOSFET。
还可深度洞察采用我们如下EliteSiC系列产品的电路运行状况，Field Stop 7 (FS7) IGBT、PowerTrench®T10 MOSFET 和Inteligent Power Modules (IPM)，包括特定产品的制造工艺极限情况。我们的仿真模型不仅基于数据手册中的典型参数，还提供了基于制造环境中物理相关性的极限工况仿真能力。这使用户能够了解器件在实验室工艺边界条件下的性能，从标称情况到最坏情况均可进行仿真。
此外，PLECS 模型自助生成工具（SSPMG）允许用户输入具有代表性的寄生元件，并生成自己的定制 PLECS 模型进行仿真。我们通过创新的SPICE模型实现了高精度的原型设计。
我们的物理和可扩展 SPICE 模型为仿真电力电子电路中功率器件的行为提供了一种准确而高效的方法，从而缩短了产品开发周期。我们最近对SSPMG进行了升级，并集成了WürthElektronik的无源元件数据库，从而使用户能够为复杂的电力电子应用创建更加精确和详细的 PLECS 模型。这一直观的基于网页的平台有助于在设计初期阶段及早发现并解决性能瓶颈问题。
安森美Elite Power仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具
