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英特尔基辛格:摩尔定律放缓至三年一个周期 但尚未消亡
英特尔CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)近日表示摩尔定律仍在发挥作用,芯片的晶体管数量现在每三年增加一倍。这实际上大大落后于摩尔定律每两年增加一倍的速度。然而,基辛格并没有认输,他概述了与最初的摩尔定律保持同步的策略。
2024-01-05
英特尔 摩尔定律
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常见三相PFC结构的优缺点分析,一文get√
为了满足应用的要求,为PFC选择的拓扑结构是一个重要考虑因素,它们将决定整体的解决方案和性能。此外,并非所有拓扑结构都可以满足所有要求,就像并非所有拓扑结构都支持三电平开关或双向性。之前我们介绍过三相功率因数校正系统的优点和设计三相PFC时的注意事项,本文将介绍一些常见的三相拓扑结...
2024-01-04
三相PFC 拓扑结构
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碳化硅助力实现 PFC 技术的变革
碳化硅(SiC)功率器件已经被广泛应用于服务器电源、储能系统和光伏逆变器等领域。近些年来,汽车行业向电力驱动的转变推动了碳化硅(SiC)应用的增长, 也使设计工程师更加关注该技术的优势,并拓宽其应用领域。
2024-01-03
碳化硅 PFC 技术
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半导体创新如何塑造边缘 AI 的未来
当工程师们提到“边缘”,并不是指一个遥远的抽象地点。我们的家里、办公室里和工厂里就存在边缘。边缘是捕获和计算数据所在的本地环境或设备,如机器人或智能家居设备。边缘 AI 能在本地设备上实现实时智能和响应,无需将数据发送到局域网以外的云。
2024-01-02
半导体 边缘 AI
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超高压MOS在变频器上的应用
典型的AC380V变频器应用框图,主要包括输入AC380V三相整流、三相逆变IGBT功率驱动、辅助电源等部分;其中辅助电源主要经过DC高压降压后为IGBT驱动IC、主控mcu、通讯模块芯片等供电。
2024-01-02
MOS 变频器
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如何快速而经济高效地将蓝牙 5.3 添加至边缘物联网设计
激烈的竞争给物联网 (IoT) 设备开发商带来了压力,他们必须迅速推出新的创新产品,同时还要降低成本,确保稳定、低功耗、安全的通信。传统的智能物联网终端节点包括用于边缘处理的微控制器单元 (MCU) 和用于连接的无线集成电路。如果设计团队缺乏开发有效解决方案必需的射频 (RF) 技能,就会出现问题。
2023-12-29
蓝牙 5.3 边缘物联网
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贸泽和TE联手发布新电子书,探讨电动汽车和互联交通的发展态势
2023年12月27日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与全球知名的连接器和传感器制造商TE Connectivity联手发布了一本新电子书,探讨电动汽车和快速发展的互联交通的现况。这本新电子书重点介绍了一些新兴工程主题,如V2X生态系统、5G车队远...
2023-12-29
贸泽 TE 互联交通
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关于电阻温度系数、测量和结构影响 这篇文章说透了
电阻温度系数(TCR 或 RTC)是上述缺陷的热能因素的特征。假设晶粒结构没有因极端脉冲/过载事件导致的高温而改变,则当温度恢复到参考温度时,这种电阻变化带来的影响是可逆的。对于 Power Metal Strip® 和 Power Metal Plate™ 产品,这将是一个导致电阻合金超过 350℃ 的温度。
2023-12-28
电阻温度 系数 测量 结构
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电容在EMC中的应用
在EMC设计中,电容的选型和布局是非常关键的。合适的电容选择可以显著提高设备的电磁兼容性,防止不同部分之间的相互干扰,同时确保设备在电磁环境中稳定运行。
2023-12-28
电容 EMC
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