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SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压?
现代工业对电力电子设备提出了很多要求:体积小、重量轻、功率大、发热少。面对这些要求,Si MOSFET因Si材料自身的限制而一筹莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天优势开始大显神通。SiC MOSFET大规模商用唯一的缺点就是价格。
2021-12-07
SiC MOSFET 单电源正电压 Si MOSFET
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优化信号链的电源系统 — 第3部分:RF收发器
本文重点关注信号链的另一部分——RF收发器。本文将探讨器件对来自各电源轨的噪声的敏感度,确定哪些器件需要额外的噪声滤波。本文提供了一种优化的电源解决方案,并通过将其SFDR和相位噪声性能与当前PDN(当连接到RF收发器时)进行比较来进一步验证。
2021-12-07
信号链 电源系统 RF收发器
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第13届年度DigiWish如愿以偿活动和节日礼物指南如期而至,Digi-Key请您查收!
Digi-Key推出其第 13 届年度 DigiWish 如愿以偿活动和 2021 年节日礼物指南。节日将近,Digi-Key 正在帮助 24 位幸运的获奖者尽早将项目从他们的愿望清单中划掉,这些赠品将在全球范激发许多新的创新,这是本司激励和支持工程师并实现全球创新的持续使命的一部分。
2021-12-03
Digi-Key DigiWish 节日礼物指南
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2022第十二届亚太国际电源产品及技术展览会
十三五期间,中国电源产业发展态势良好,2016年中国电源市场规模首次突破2000亿大关,达2056亿元,同比增长6.9%,2018年,中国电源市场的规模达到2459亿元,同比增长5.95%,并预计到2023年,其市场规模将增至4221亿元。随着LED照明、分布式光伏、风能、充电桩、云计算、大数据、智慧城市的兴起与繁...
2021-12-02
亚太国际电源产品技术展览会 风能 充电桩 云计算
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GDDR6给FPGA带来的大带宽存储优势以及性能测试
随着互联网时代的到来,人类所产生的数据发生了前所未有的、爆炸性的增长。IDC预测,全球数据总量将从2019年的45ZB增长到2025年的175ZB[1]。同时,全球数据中近30%将需要实时处理,因而带来了对FPGA等硬件数据处理加速器的需求。如图1所示。
2021-12-02
GDDR6 FPGA 存储优势
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I2C通信协议:了解I2C Primer、 PMBus和SMBus
I2C,即Inter-Integrated Circuit,是一种常用的串行通信协议,用于在器件之间——特别是两个或两个以上不同电路之间建立通信。I2C Primer是最常用的I2C。本文将介绍I2C Primer的基本特性和标准,并重点说明在通信实现过程中如何正确使用该协议。从I2C的基本原理出发,我们将介绍其变体子集——系统管理...
2021-12-02
wenwei
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贸泽电子携手Bourns推出全新电子书探讨浪涌保护技术的设计挑战
专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子宣布与知名电子元器件制造商和供应商Bourns联手推出全新电子书《How to Choose the Right Surge Protection Technology》(如何选择合适的浪涌保护技术)。在该书中,Bourns和其他知名公司的行业专家就一些常见问题提供了见解,包括涵盖浪涌保...
2021-11-30
贸泽电子 Bourns 浪涌保护技术
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低压差稳压器LDO的基本原理与主要参数
取样电压加在比较器A的同相输入端,与加在反相输入端的基准电压Uref相比较,两者的差值经放大器A放大后,控制串联调整管的压降,从而稳定输出电压。
2021-11-29
低压差稳压器LDO
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MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
许多中高压MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)结构,而小于200V的产品大多具有沟槽MOS(U-MOS)结构。因此,当耐受电压VDSS=600V时,Rdrift成为主导因素,当耐受电压是30V时,因素Rch的比例较高。
2021-11-29
MOSFET RDS
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