互连技术-技术中心-电子元件技术网

互连技术

GDDR6给FPGA带来的大带宽存储优势以及性能测试

随着互联网时代的到来，人类所产生的数据发生了前所未有的、爆炸性的增长。IDC预测，全球数据总量将从2019年的45ZB增长到2025年的175ZB[1]。同时，全球数据中近30%将需要实时处理，因而带来了对FPGA等硬件数据处理加速器的需求。如图1所示。

2021-12-02

GDDR6 FPGA 存储优势

I2C通信协议：了解I2C Primer、 PMBus和SMBus

I2C，即Inter-Integrated Circuit，是一种常用的串行通信协议，用于在器件之间——特别是两个或两个以上不同电路之间建立通信。I2C Primer是最常用的I2C。本文将介绍I2C Primer的基本特性和标准，并重点说明在通信实现过程中如何正确使用该协议。从I2C的基本原理出发，我们将介绍其变体子集——系统管理...

2021-12-02

wenwei

贸泽电子携手Bourns推出全新电子书探讨浪涌保护技术的设计挑战

专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子宣布与知名电子元器件制造商和供应商Bourns联手推出全新电子书《How to Choose the Right Surge Protection Technology》（如何选择合适的浪涌保护技术）。在该书中，Bourns和其他知名公司的行业专家就一些常见问题提供了见解，包括涵盖浪涌保...

2021-11-30

贸泽电子 Bourns 浪涌保护技术

低压差稳压器LDO的基本原理与主要参数

取样电压加在比较器A的同相输入端，与加在反相输入端的基准电压Uref相比较，两者的差值经放大器A放大后，控制串联调整管的压降，从而稳定输出电压。

2021-11-29

低压差稳压器LDO

MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素

许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素Rch的比例较高。

2021-11-29

MOSFET RDS

了解 3 种静态电流 (IQ) 的规格

静态电流 (IQ) 通常定义为集成电路 (IC) 在空载和非开关但启用状态下消耗的电流。广义上，静态电流是 IC 在任何超低功耗状态下消耗的输入电流，这一定义更有助于我们理解静态电流的内涵。

2021-11-26

静态电流 IQ

关于4G/5G智能手机天线调谐的4点须知

天线效率在智能手机的整体 RF 性能中发挥着至关重要的作用。然而，当前的智能手机工业设计趋势和 RF 需求（尤其是即将过渡至 5G），意味着智能手机必须要将更多的天线安装到更小的空间内，并且/或者提高现有天线的带宽。

2021-11-26

4G/5G 智能手机天线调谐

用于测试仪表放大器的差分光隔离驱动器

据说我们使用的一些电信号相对于地面“浮动”。一个典型的例子可能是电源中分流电阻上的压降或复杂的生物医学信号，例如心电图。在这种情况下，仪表放大器 (IA) 用于放大信号的差模分量并抑制其共模分量。

2021-11-25

测试仪表放大器差分光隔离驱动器

克服过热问题，维持快速充电时间，这款线性电池充电器你爱了没？

线性电池充电器通常比一般的开关型充电器更细小.简单和便宜，但是它有一个主要缺点：当输入电压高和电池电压低(已放电的电池)时会出现过高的功率耗散。在典型情况下，这些状态是暂时性(因为电池电压随著充电而增加)，但是在确定充电电流和IC温度的最大允许值时，必须考虑到这种最坏情况。

2021-11-24

线性电池充电器

首页上一页 242 243 244 245 246 247 248 249 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索