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物联网边缘传感器节点进化论：从单处理器到多核异构的跨越式发展
嵌入式系统正以越来越快的速度继续其技术演进；我们家庭、车辆和工作场所中的设备功能正在突飞猛进地发展。这一进步的一个关键驱动因素是，即使是最小的电子设备也能够连接到我们的现代网络基础设施。Wi-Fi®、蓝牙®和其他连接选项使得现场更新和维护变得更加容易，同时增加了人工智能和机器学习算法...
2025-04-08
物联网 边缘传感器 单处理器 嵌入式系统
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二次整流电路设计难点解析
在电源工程师欢呼有源钳位正激转换器(ACFC)突破50%占空比限制之际，一个被长期忽视的设计陷阱正在浮现——最小占空比(Dmin)的精细控制已成为决定系统可靠性的生死线。实测数据显示，当Dmin低于15%时，ACFC的开关损耗会陡增300%，电磁干扰(EMI)恶化达18dBμV。
2025-04-08
二次整流电路
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碳化硅能效革命核心突破点：共源共栅（cascode）结构详解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共栅场效应晶体管（SiC JFET cascode）在硬开关与软开关应用场景中展现出显著技术优势。其官方发布的《SiC JFET共源共栅应用指南》系列文档，通过三篇技术解析深入剖析器件特性，本文作为开篇之作，将聚焦阐释cascode结构的核心机理。该指南不仅系统阐述共源共栅器...
2025-04-08
碳化硅 共源共栅 安森美
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福禄克声学新品震撼上市
在全球声学检测技术领域，福禄克公司一直以其创新精神和卓越品质著称。近期，福禄克发布了最新款ii1020C工业声学成像仪，在性能、功能和用户体验上均实现了显著提升，旨在为工业检测和电力设备维护提供更为高效和精准的解决方案。
2025-04-08
福禄克
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赋能AI与能源及数字化转型，TDK解决方案亮相慕尼黑上海电子展
TDK株式会社4月7日宣布，将于2025年4月15日至17日慕尼黑上海电子展（展位号N1.210），围绕「为可持续的未来加速转型」的核心理念，集中展示人工智能技术应用、绿色能源与数字化转型的前沿创新成果，覆盖电子应用全领域的创新技术和产品解决方案，推动各行业向更智能、更高效、更低碳的未来加速转型。
2025-04-08
AI 能源 数字化转型 TDK
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第18讲：SiC MOSFET的动态特性
SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加负偏压，并仔细设计控制电路布线，这是为了防止噪声干扰引起的故障。此外，阈值电压随着温度升高而降低（图1），因此建议在高温运行期间检查是否有异常。
2025-04-07
SiC MOSFET 阈值电压
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相位魔法解码：真时延技术如何实现毫米级指向精度
相控阵天线通过移相器、真时延或二者的组合，使合成波束更精确地指向阵列转向角度内的所需方向。本文将介绍这两种方法，以及更宽带宽的天线阵列是如何推动真时延在其系统设计中的应用。
2025-04-07
相控阵天线 真时延技术
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CITE 2025启幕在即：顶尖展商集结 见证巅峰时刻
科技浪潮奔涌不息，从生成式AI重新定义内容创作，到Micro LED颠覆显示技术，从量子计算突破存储极限，到无人机重新定义低空经济，全球电子信息产业正以惊人的速度迭代创新。在这场技术变革的洪流中，如何捕捉趋势、链接生态、赋能未来？2025年4月9日—11日，将在深圳会展中心（福田）揭晓巅峰时刻。
2025-04-07
CITE 2025 AI 存储
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自主生态护城河：数字化转型的可持续竞争力构建
自主生态护城河：数字化转型的可持续竞争力构建
2025-04-07
数字化转型 自主生态
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