造成陶瓷高压电容器被击穿的因素有很多，按照其导致的因素，可以将击穿情况分为电压击穿、热击穿、过电流击穿、电磁场强击穿等情况。

首先来看电压击穿情况。这是高压电容最容易出现的一种击穿情况，在应用中通常会表现为电容器表面破碎，陶瓷芯片出现开裂。导致这种击穿情况出现的原因，就在于高压电容器的承受电压的能力不够。往往是技术人员对电容器的电压安全余量把握不够，也就是说如果把电压降低一点，或者采用更高电压的高压电容器，这个问题就解决了。以国家电网来讲，一般电压的安全余量会超过4倍。比如在10KV的电站里，所用到的电容器的电压，按国家标准，就必须能达到42KVAC保压2分钟，凡是低于这一标准的都是不合格产品。

接下来我们再来看一下高压电容中第二大高发的击穿现象，那就是热击穿。这种击穿情况一般多发生在高频脉冲电路中。一颗频率级别不够的陶瓷高压电容器用到了承受能力以外的电源里，明显会出现热击穿。这种击穿没有先兆，往往是一击即穿，或者脉冲几次很快就击穿了。导致这一问题的根本原因在于，电容器本身与电路设计要求的HZ级别不符，例如原本应该用2GHZ的电容器，却使用了2KKHZ的电容器。甚至更低档次的产品。这样的后果直接是电容器一上机机即击穿。这种击穿很直接，因为脉冲频很强大，电容器往往被击得粉碎。因为这是在一种极短的时间内，陶瓷芯片发生极为急剧的温度变化，这种变化是因为陶瓷不耐受高频引起的。这种瞬间的高温让技术人员措手不及，往往还容易错误地判断为电压不够。因为升温时间太短，没有发现升温现像。其实这时芯片是烫的。

不过，在实际应用的过程中，陶瓷高压电容器发生热击穿时还有一种不容易分辨的假相，需要工程人员特别注意。比如在产品在环境温度提升过程中，到一定值时，突然断路了。这时发现电容器外观是好的，极少数可能出现击穿现像，更多的一部分，则表现为电容器并没有击穿，只是换效而已。在温度降低后，它还会恢复到初始值以下。

相比较上面所提到的陶瓷高压电容的两种击穿现象，磁场击穿尽管发生的频率要低一些，但同样是需要我们认真对待的。高压电容器在强磁场下，发生击穿的现像也比较多。这种现像往往采取有效措施后可得到控制。或者改变电路结构也同样能够加以控制。

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