电路保护-技术中心-电子元件技术网

电路保护

多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响

根据载流子分布曲线近似，通过求解泊松方程，得到了多晶硅中电场及其电势的分布，计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移，并与数值模拟的结果进行了比较，表明其具有较好的准确性

2009-01-17

多晶硅量子 MOSFET 阈值电压

3G手机LED显示屏与摄像模块的ESD保护技术

在3G时代，手机多媒体业务的进一步导入将使LCD显示屏和摄像头的分辨率迈上新台阶。现有的显示和摄像模块与基带电路或者多媒体处理器之间通过柔性电缆进行的并行连接将变得拥挤，同时EMI问题也变得非常关键。为了解决这些问题，一些显示器制造商、半导体厂商和摄像模块制造商已经开发了高速串行总线...

2009-01-15

3G 手机并行接口串行接口 ESD EMI ST

HUBER+SUHNER推出新款电磁保护连接器

HUBER+SUHNER日前推出一款电磁保护连接器，它优化的设计能承受高电流而且能减少接触电阻，现在，雷电电磁保护器(LEMP)频率高达6GHz、核电磁脉冲保护器(NEMP)和高幅电磁脉冲保护器(HEMP)已经能广泛适用民用和军事领域。

2009-01-05

电磁保护电磁保护连接器电磁保护器

用协同电路保护技术保护继电器

介绍有可能损坏继电器的几种情况和可以保护继电器的方法和元器件。其中，PPTC可以防止过流对继电器的损害，MOV、MLV等过压保护器件可以防止电压过大对继电器造成的损害。

2008-12-31

继电器保护电路 PPTC MOV MLV

ESDALCxx-1U2系列：ST全新ESD保护二极管

意法半导体推出全新ESD保护二极管产品系列，新产品的尺寸比上一代缩小 67%，能够承受最严格的IEC61000-4-2标准的 ESD测试脉冲，低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。

2008-12-29

ESDALC3V9-1U2 ESDALC6V1-1U2 ESDALC14V2-1U2 ESDALCxx-1U2 ESD保护二极管保护器件漏电流电容

爱普科斯MLCC家族添新丁，防静电版本诞生

爱普科斯新型E系列多层陶瓷电容器为高度坚固元件，采用X7R材料制作而成，其抗静电放电脉冲能力与标准型号相比更加卓越。

2008-12-24

MLCC 静电保护 ESD AEC-Q200

液晶面板用玻璃底板厂商康宁:“将以近年来从未有过的幅度降价”

液晶面板用玻璃底板厂商美国康宁于当地时间2008年12月9日宣布，“将于09年第一季度以近年来从未有过的幅度”（董事会副主席兼CFO James B. Flaws）下调玻璃底板价格。如果算上与韩国三星电子的合资公司韩国三星康宁精密玻璃，康宁为市场份额超过50％的业界最大厂商。

2008-12-17

液晶面板玻璃底板降价裁员

VBUS052CD-FAH/4CD-FHI：Vishay新型ESD保护阵列

日前，Vishay推出两款具有低电容及漏电流的最新小型ESD 保护阵列--- 2 线路的 VBUS052CD-FAH 和 4 线路的 VBUS054CD-FHI，这些器件可保护高速数据线，以防止瞬态电压信号。

2008-12-16

VBUS052CD-FAH VBUS054CD-FHI ESD保护阵列 ESD 便携端口保护阵列

使用柔性端头降低陶瓷贴片电容短路风险

贴片式陶瓷电容的内部裂缝能引起严重的破坏。如果在PCB组装过程中，贴片式陶磁电容器招受到剪应力，一种板弯裂缝将会在陶磁内部产生，这些裂缝有可能贯穿电容内部多层内部正负电极层，这样可能导至短路的风险。为电容端电极增加“弹性层”有效吸收外应力，降低裂缝的发生机率从而降低短路风险。

2008-12-01

陶瓷电容柔性端头短路

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